公开(公告)号：CN104926355B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201510400789.4

申请日：2015-07-09

申请人： 盐城工学院

发明人： 于方丽 ,  白宇 ,  倪澍 ,  韩朋德 ,  管浩 ,  张霞

IPC分类号： C04B38/00 ,  C04B35/584

摘要： 本发明公开了一种基于明胶溶液冷冻干燥技术制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法，将掺有烧结助剂的氮化硅粉料与一定浓度的明胶溶液混合形成均一体系，随后真空除泡并在1～20℃下冷却促使其凝胶化得到胶体；随后将胶体在‑90～‑10℃下冷冻并低温真空干燥得到生坯，生坯经排胶后在氮气气氛下烧结最终获得定向多孔氮化硅陶瓷。本发明的一种基于明胶溶液冷冻干燥技术制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法，结合了凝胶注模成型坯体强度高和冷冻干燥法孔隙分布均匀、定向程度优异、孔洞连通性良好的特点，首次利用储水能力优异的明胶配置成明胶溶液与氮化硅粉料混合制备出定向多孔氮化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN105859301A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610207522.8

申请日：2016-04-05

申请人： 盐城工学院

发明人： 于方丽 ,  戴婷亚 ,  吴金燕 ,  韩朋德 ,  施庆乐 ,  张长森 ,  吴其胜

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/62204 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/658

摘要： 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体而言，涉及一种氮化硅陶瓷，按照重量份数计，所述氮化硅陶瓷主要由以下原料组份制成：镍渣5～50份、烧结助剂0～8份、氮化硅50～95份。本发明以镍渣为添加剂生产氮化硅陶瓷，不仅降低了生产成本，把镍渣综合利用、转变为附加值较高的产品，而且制备出的氮化硅陶瓷具有气孔率低、力学性能高等优异性能。本发明还提供了一种所述氮化硅陶瓷的制备方法，通过结合特定的原料及调节工艺参数来控制陶瓷中的气孔率、力学性能等重要结构参数，生产出的陶瓷性能优异，且该方法本身安全合理，易于掌握。

公开(公告)号：CN105602564A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610122552.9

申请日：2016-03-03

申请人： 盐城工学院

发明人： 韩朋德 ,  姜晓萍 ,  程森 ,  于方丽 ,  焦宝祥 ,  吴其胜 ,  张其土

IPC分类号： C09K11/84

摘要： 本发明提供了一种Zn增强的稀土硫氧化物上转换发光材料及制备方法，该材料的化学式为(Ln1-x-y-zYbxREyZnz)2O2S，其中0.04≤x≤0.2、0.005≤y≤0.02、0.005≤z≤0.02；Ln为La、Y或Gd中的一种，RE为Er、Ho、Tm、Pr、Eu或Tb中的一种。该材料发光强度大大增强，提高了50％～120％。该材料的制备方法，采用沉淀剂反滴的方法得到稀土氧化物原料，然后采用气体硫化法，反应条件简单、易控，该方法可以很好的保持稀土氧化物的形貌和颗粒尺寸，该方法所制备的稀土硫氧化物上转换发光材料多呈现球形，颗粒尺寸均匀，颗粒分布范围较窄，D90＝0.2-0.5μm。

公开(公告)号：CN105056938A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510534786.X

申请日：2015-08-27

申请人： 盐城工学院

发明人： 董鹏玉 ,  于方丽 ,  侯贵华 ,  关荣锋

IPC分类号： B01J23/30 ,  B01J35/10

摘要： 本发明公开了一种提高三氧化钨薄膜光催化活性的方法，包括以下步骤：(1)配制驱体溶胶：取聚乙烯醇，加入蒸馏水，加热搅拌溶解，得聚乙烯醇溶液，然后加入一定量的偏钨酸铵，搅拌溶解；随后在室温条件下，搅拌12-24h，使各组分充分均匀，再在恒温条件下静置6-10h，得前驱体溶胶；(2)旋涂镀膜：将上述前驱体溶胶旋涂在导电玻璃上，然后在室温下干燥12～24h，得初膜；(3)煅烧：将上述初膜在空气气氛下煅烧，即得具有孔状结构的WO3薄膜。相对于现有技术，本发明通过在制备前躯体溶胶时加入聚乙烯醇作为造孔剂，显著提高了最终制得的薄膜的孔隙率、比表面积和光催化活性。另外，本发明提供的方法所需成膜设备相对简单、成本低、适合于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN104944433A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510418417.4

申请日：2015-07-16

申请人： 盐城工学院

发明人： 韩朋德 ,  姜晓萍 ,  于方丽 ,  焦宝祥 ,  张其土

IPC分类号： C01B35/12 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开了一种稀土正硼酸盐纳米晶的制备方法，其将稀土氧化物完全溶解于硝酸中制成稀土硝酸盐溶液，搅拌均匀，所述稀土氧化物的稀土元素为Y、La、Sm或Gd中的一种；利用氢氧化钠溶液调节稀土硝酸盐溶液的pH值至9～10；将调好pH值的稀土硝酸盐溶液置于水热高压反应釜中，于180～220℃条件下反应20～40h后，自然降温至室温，反应后的产物用去离子水洗涤得到中间产物；将得到的中间产物与硼酸溶液混合，搅拌均匀；将搅拌均匀的混合物置于水热高压反应釜中，于200～220℃条件下反应40～60h后，自然降温至室温，反应后的产物用去离子水洗涤，烘干，得到稀土正硼酸盐纳米晶。本发明合成温度低，只有180～220℃，比传统的固相反应法低800℃；产物不需要球磨，提高了材料的发光强度和应用性。

公开(公告)号：CN104529522A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410757400.7

申请日：2014-12-12

申请人： 盐城工学院

发明人： 于方丽 ,  白宇 ,  韩朋德 ,  张霞 ,  吴其胜 ,  倪澍

IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  B01D39/20

摘要： 本发明公开了一种基于尼龙纤维为造孔剂制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法，其制备方法为：按照不同固相含量将不同配比的氮化硅、不同长度的尼龙纤维、烧结助剂、有机添加剂及去离子水混合，混料均匀后，陈腐一段时间置于压力机以不同的挤压速度挤出成型得到陶瓷生坯，生坯经排胶后在氮气气氛下烧结最终获得定向多孔氮化硅陶瓷。本发明所述制备方法具有成本低廉、工艺简单，陶瓷质量易于控制的特点。产业化后可以直接用于高温烟气除尘净化。除了高温烟气过滤外，该多孔氮化硅陶瓷还可用于能源、石化等企业的中间过滤和废气过滤，为国家经济的可持续性发展提供技术帮助。

公开(公告)号：CN105018090B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510454983.0

申请日：2015-07-29

申请人： 盐城工学院

发明人： 韩朋德 ,  姜晓萍 ,  张林涛 ,  于方丽 ,  焦宝祥 ,  张其土

IPC分类号： C09K11/84

摘要： 本发明公开了一种Mn增强的稀土硫氧化物上转换发光材料及制备方法，该材料的化学式为(Ln1‑x‑y‑zYbxREyMnz)2O2S，其中0.04≤x≤0.2、0.005≤y≤0.02、0.005≤z≤0.02；其中Ln为La、Y、Gd中的一种，RE为Er、Ho、Tm、Pr、Eu中的一种。本发明的一种Mn增强的稀土硫氧化物上转换发光材料，产物颗粒尺寸分布窄，所制备的稀土硫氧化物上转换发光材料D90＝1～5μm，产物不需要球磨，可直接使用，且发光强度大大增强，与不掺杂Mn的稀土硫氧化物上转换发光材料相比，发光强度提高10％～20％。

公开(公告)号：CN104310422B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410504476.9

申请日：2014-09-28

申请人： 盐城工学院

发明人： 韩朋德 ,  姜晓萍 ,  于方丽 ,  焦宝祥 ,  张其土

IPC分类号： C01B35/12

摘要： 本发明公开了一种稀土正硼酸盐的低温制备方法，其制备步骤为：①按化学计量比称取所需原料RE2O3(其中RE为稀土元素Y、La、Gd或Sm中的一种)和H3BO3；②称取所需助熔剂NH4Cl、ZnCl2、MgCl2或Li2CO3中的一种，助熔剂用量为原料质量的5wt％～15wt％，原料和助熔剂称量后混合均匀；③将装有混合料的坩埚梯度升温至600～700℃，烧结3h～5h，然后随炉降温至室温；④烧结过的产物研磨后，用水洗涤、搅拌并抽滤，重复洗涤3～5次；⑤将洗涤后的产物放入电热鼓风干燥箱中烘干，研磨、过筛后得到稀土正硼酸盐。本发明以RE2O3和H3BO3为原料，以NH4Cl、ZnCl2、MgCl2或Li2CO3中的一种为助熔剂，采用低温固相法制备，制备方法简单，易操作，节约能源，降低了生产成本，且后处理过程简单方便，省时省力。

公开(公告)号：CN105197907A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510536770.2

申请日：2015-08-27

申请人： 盐城工学院

发明人： 董鹏玉 ,  侯贵华 ,  于方丽 ,  关荣锋

IPC分类号： C01B25/37 ,  B01J27/18 ,  C02F1/30

摘要： 本发明公开了一种提高磷酸银光催化活性的方法，包括以下步骤：(1)称取醋酸银，加入去离子水，搅拌，得醋酸银溶液；(2)向上述醋酸银溶液中逐滴加入Na2HPO4溶液，得黄色沉淀；(3)将上述黄色沉淀离心分离，洗涤，然后干燥，得干固体；(4)将上述干固体置于空气气氛下煅烧2-5h，即得。相对于现有技术，本发明方法既不需要添加额外的、昂贵的表面活性剂或模板剂，也不需要与其他半导体材料复合，具有生产成本低、工艺简单等优点，能够大幅度提高Ag3PO4的光催化性能。

公开(公告)号：CN105084932A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510493015.0

申请日：2015-08-12

申请人： 盐城工学院

发明人： 于方丽 ,  白宇 ,  倪澍 ,  李杨 ,  吴兴萍 ,  徐海

IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B35/584 ,  C04B35/632

摘要： 本发明公开了一种挤压莰烯/氮化硅冷冻坯体制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法。其制备方法为：首先将由烧结助剂和氮化硅粉料混合得到的固体粉料和一定量溶解了有机添加剂的融化莰烯混合成均一体系浆料；随后将均一体系浆料定向冷冻得到冷冻坯体，将得到的冷冻坯体进行热处理后以一定速率进行挤压，随后真空干燥得到高度定向的多孔氮化硅陶瓷生坯；加热排胶后在氮气保护气氛下烧结得到定向多孔氮化硅陶瓷。本发明的制备方法具有制备工艺简单、制备试样定向程度优异、气孔率高、陶瓷质量易于控制的特点。