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发明公开
读出放大器、存储装置以及电子设备审中-实审

公开(公告)号：CN114708892A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210150312.5

申请日：2022-02-18

申请人： 真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 池性洙 , 金基镐 , 金正镐 , 孙周焕 , 易莎

IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/402

摘要： 本公开公开涉及读出放大器、包括该读出放大器的存储装置以及包括该存储装置的电子设备，该读出放大器包括：第一隔离单元；第二隔离单元；第一偏移消除单元；第二偏移消除单元；以及感测放大单元，其包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中，读出放大器还包括第一均衡单元和第二均衡单元中的至少一者，其中第一均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到位线，且第二均衡单元配置成选择性地将预充电电压施加到互补位线。由此，能够改善预充电操作中对位线的均衡性能，从而提高读出放大器的感测效率。