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公开(公告)号：CN104261673A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410443636.3
申请日：2014-09-03
摘要： 本发明涉及一种电子敏感玻璃基板和基于该电子敏感玻璃基板且具有多个光波导的光学电路，以及该电子敏感玻璃基板中形成的微型结构。微型结构是由电子束照射在电子敏感玻璃上的所选区域并经高温热处理和化学蚀刻形成的，而光波导的形成则是由电子束照射在电子敏感玻璃基板上经一个较低温度热处理而成。
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公开(公告)号：CN103811489A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410077438.X
申请日：2014-03-05
摘要： 本发明涉及基于薄膜晶体管的微波毫米波集成电路、功率交换电路及其制作方法，使在制作该集成电路的有源和无源器件后，不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底。同时也提供以不具毒性的制作的有源器件。利用不具毒性的半导体制作薄膜晶体管的毫米波集成电路并不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底，使得制作成本降低并减小环境污染。也提供可减小或免除对准，搭线手续的毫米波电路结构，以简化毫米波电路制造的程序。
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公开(公告)号：CN103811489B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410077438.X
申请日：2014-03-05
摘要： 本发明涉及基于薄膜晶体管的微波毫米波集成电路、功率交换电路及其制作方法，使在制作该集成电路的有源和无源器件后，不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底。同时也提供以不具毒性的制作的有源器件。利用不具毒性的半导体制作薄膜晶体管的毫米波集成电路并不需研磨，蚀刻及打薄基座或衬底，使得制作成本降低并减小环境污染。也提供可减小或免除对准，搭线手续的毫米波电路结构，以简化毫米波电路制造的程序。
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公开(公告)号：CN103618003A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310577768.0
申请日：2013-11-18
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/42316 , H01L29/432 , H01L29/475
摘要： 本发明涉及一种具有改良栅极的高电子迁移率晶体管，用于高功率的切换和放大。在制造一个高电荷迁移率晶体管以及包含该晶体管的微波集成电路和交换电路时，采用镍铬合金或镍钨合金作为第一栅极层的材料，以钝化在沉积栅极之前抽真空的步骤中，无法去除并已吸附和扩散到复合外延通道层表面上的氧或水的分子，从而达到增强一个高电荷迁移率晶体管及其所制成的微波集成电路和交换电路的功能及稳定性。
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公开(公告)号：CN103824854B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410062264.X
申请日：2014-02-22
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种改进线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路。在制造基于高电子迁移率晶体管的交换电路和微波集成电路时，去除了影像场分界区或电路切割区中复合外延层材料以减小变形量而改进临界线宽的均匀性，从而达到增强一个高电子迁移率晶体管及其所制成的交换电路和微波集成电路的功能及稳定性。
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公开(公告)号：CN103618003B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310577768.0
申请日：2013-11-18
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/47
摘要： 本发明涉及一种具有改良栅极的高电子迁移率晶体管，用于高功率的切换和放大。在制造一个高电荷迁移率晶体管以及包含该晶体管的微波集成电路和交换电路时，采用镍铬合金或镍钨合金作为第一栅极层的材料，以钝化在沉积栅极之前抽真空的步骤中，无法去除并已吸附和扩散到复合外延通道层表面上的氧或水的分子，从而达到增强一个高电荷迁移率晶体管及其所制成的微波集成电路和交换电路的功能及稳定性。
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公开(公告)号：CN103824854A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410062264.X
申请日：2014-02-22
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种改进线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路。在制造基于高电子迁移率晶体管的交换电路和微波集成电路时，去除了影像场分界区或电路切割区中复合外延层材料以减小变形量而改进临界线宽的均匀性，从而达到增强一个高电子迁移率晶体管及其所制成的交换电路和微波集成电路的功能及稳定性。
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