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公开(公告)号：CN110034742B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910239308.4
申请日：2019-03-27
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明基于对减小RF滤波器的尺寸和成本，以及对减少覆盖多个操作频段的移动手机和无线系统所需的滤波器数量的强烈需求，需要可覆盖尽可能多的频段或频率范围的可调谐RF滤波器，以便减少移动手机和无线系统中滤波器的数量。本发明公开了一种用于表面声波装置的可调谐表面声波叉指换能器结构，本发明提供可调谐表面声波(SAW)IDT结构，其中待激发和传输的声波的谐振频率由数模转换器(DACs)来调谐。DAC将输入数字信号转换为输出直流电压，并通过集成薄膜偏压电阻向SAW IDT提供直流偏压。输出直流电压的极性和数值由输入数字信号控制，以实现SAW IDT的谐振频率的选择和调谐。
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公开(公告)号：CN104261673A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410443636.3
申请日：2014-09-03
Abstract: 本发明涉及一种电子敏感玻璃基板和基于该电子敏感玻璃基板且具有多个光波导的光学电路，以及该电子敏感玻璃基板中形成的微型结构。微型结构是由电子束照射在电子敏感玻璃上的所选区域并经高温热处理和化学蚀刻形成的，而光波导的形成则是由电子束照射在电子敏感玻璃基板上经一个较低温度热处理而成。
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公开(公告)号：CN104377415A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410521125.9
申请日：2014-10-08
Abstract: 本发明涉及一种用于微波传输的波导结构基板上的架空共面波导以及在该基板上制作该种架空共面波导的方法，该共面波导具有在该基板上被若干支柱或若干独立支柱支撑的中央架空传输线和正面接地金属层。中央架空传输线、正面接地金属层的下面，以及中央架空传输线和正面接地金属层之间的基板材料被去除，以减少微波介电损耗和色散。
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公开(公告)号：CN104681619B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510028542.4
申请日：2015-01-21
Abstract: 本发明涉及一种用于功率开关或电信号放大的具有金属氮氧化物有源沟道的集成功率器件，使用具有高载流子迁移率和高击穿电场材料，在硅CMOS逻辑与控制电路芯片上直接集成用于功率开关或电信号放大的具有低热预算的功率晶体管，以形成高功率或高频率应用的开关电路或放大电路，使得功率开关电路或放大电路的性能可以得到改善。
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公开(公告)号：CN106026964B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610361145.3
申请日：2016-05-29
Abstract: 本发明提供了可调薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及到与半导体压电结构相关的结特性，通过调整施加的直流偏压进而改变具有受控掺杂浓度的半导体压电结构使谐振器的中心频率或带宽可调，以形成微波应用中可调微波声学滤波器和可调振荡器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104882373B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510199007.5
申请日：2015-04-24
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/335 , G03F7/20
Abstract: 本发明提出了一种用于微波、毫米波集成电路的高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法。该方法的特点之一是利用两次散焦来形成T形栅的结构以增强其机械强度和可靠性，特点之二是在制造过程中采用了微缩步骤和热变形步骤以减少T形栅的根部腔体的尺寸，从而制造出了较小栅极长度的T形栅。
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公开(公告)号：CN106026964A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610361145.3
申请日：2016-05-29
CPC classification number: H01P1/201 , H03H9/0014 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/583 , H03H2003/0464 , H03H2009/02196 , H03H9/02015 , H03H9/02047 , H03H9/0504 , H03H9/54 , H03H2009/02173
Abstract: 本发明提供了可调薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及到与半导体压电结构相关的结特性，通过调整施加的直流偏压进而改变具有受控掺杂浓度的半导体压电结构使谐振器的中心频率或带宽可调，以形成微波应用中可调微波声学滤波器和可调振荡器。
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公开(公告)号：CN104882373A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510199007.5
申请日：2015-04-24
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/335 , G03F7/20
CPC classification number: H01L29/66462 , G03F7/2037 , H01L21/28 , H01L21/28587
Abstract: 本发明提出了一种用于微波、毫米波集成电路的高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法。该方法的特点之一是利用两次散焦来形成T形栅的结构以增强其机械强度和可靠性，特点之二是在制造过程中采用了微缩步骤和热变形步骤以减少T形栅的根部腔体的尺寸，从而制造出了较小栅极长度的T形栅。
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公开(公告)号：CN110034742A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910239308.4
申请日：2019-03-27
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明基于对减小RF滤波器的尺寸和成本，以及对减少覆盖多个操作频段的移动手机和无线系统所需的滤波器数量的强烈需求，需要可覆盖尽可能多的频段或频率范围的可调谐RF滤波器，以便减少移动手机和无线系统中滤波器的数量。本发明公开了一种用于表面声波装置的可调谐表面声波叉指换能器结构，本发明提供可调谐表面声波(SAW)IDT结构，其中待激发和传输的声波的谐振频率由数模转换器(DACs)来调谐。DAC将输入数字信号转换为输出直流电压，并通过集成薄膜偏压电阻向SAW IDT提供直流偏压。输出直流电压的极性和数值由输入数字信号控制，以实现SAW IDT的谐振频率的选择和调谐。
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公开(公告)号：CN104681619A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510028542.4
申请日：2015-01-21
Abstract: 本发明涉及一种用于功率开关或电信号放大的具有金属氮氧化物有源沟道的集成功率器件，使用具有高载流子迁移率和高击穿电场材料，在硅CMOS逻辑与控制电路芯片上直接集成用于功率开关或电信号放大的具有低热预算的功率晶体管，以形成高功率或高频率应用的开关电路或放大电路，使得功率开关电路或放大电路的性能可以得到改善。
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