公开(公告)号：CN1442895A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN02106759.7

申请日：2002-03-06

申请人： 矽统科技股份有限公司

发明人： 林平伟 ,  游曜声 ,  王雅琳

IPC分类号： H01L21/76

摘要： 本发明揭示一种形成浅沟槽隔离区的方法，其特征在于：形成一第一绝缘层于一沟槽内，其中该第一绝缘层并未填满该沟槽。然后除去部分该第一绝缘层而形成包括有残留在该沟槽底部而当作是一底部绝缘层的剩余的该第一绝缘层，并且露出位于该底部绝缘层上方的该沟槽侧壁。之后再形成一第二绝缘层填满该沟槽。因此，本发明的方法可以形成具有高深宽比且无孔洞的浅沟槽隔离区。

公开(公告)号：CN1428826A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN01143424.4

申请日：2001-12-26

申请人： 矽统科技股份有限公司

发明人： 陈振隆 ,  林平伟 ,  游曜声 ,  姜兆声 ,  郑丰绪

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/28 ,  H01L21/441

摘要： 一种金属双镶嵌的制造方法。形成第一介电层于已形成有若干元件的基底上，然后使用含氮电浆对第一介电层进行表面处理。接着依序形成氮化硅层与第二介电层于第一介电层上，图案化第二介电层，以形成第一开口于第二介电层中以暴露出部分的氮化硅层。然后依序图案化暴露出的氮化硅层与其下的第一介电层，以形成第二开口于氮化硅层与第一介电层中，第二开口的宽度小于第一开口的宽度。最后沉积金属于第一开口与第二开口中，以形成金属双镶嵌结构。

公开(公告)号：CN1380687A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01116579.0

申请日：2001-04-16

申请人： 矽统科技股份有限公司

发明人： 林平伟 ,  姜兆声 ,  游曜声

IPC分类号： H01L21/316

摘要： 一种伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法,利用在一高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备,以便在一晶片上进行多晶硅栅极与硅化金属层工艺后,于同一沉积设备中,使一阻挡层伴随介电层而形成于晶片上,其步骤包括:在未施加偏向高频电压状态下,使用一反应气体混合物而在一晶片上形成一阻挡层;以及在施加偏向高频电压状态下,使用该反应气体混合物,在形成有阻挡层的该晶片上形成一介电层。