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发明公开
用于大规模制造半导体材料的原位反应室清洁处理方法无效

公开(公告)号：CN101903563A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880121507.5

申请日：2008-12-05

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 安德鲁·D·约翰逊 , 瓦西尔·沃尔萨 , 罗伯特·格登·里奇韦 , 彼得·J·马洛里斯

IPC分类号： C23C16/52

CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/52 , C23C16/54

摘要： 本发明涉及半导体加工设备和方法的领域，并且特别提供了例如反应室壁上和其它位置等反应室内部的不良沉积物的原位去除方法和设备。根据本发明的方法，将清洁步骤纳入并结合于高通量生长工序中。优选的是，何时暂停生长并启动清洁、何时终止清洁并恢复生长的时间基于传感器的输入值自动确定。本发明还提供了用于高效执行本发明的结合的清洁/生长方法的反应室系统。