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公开(公告)号：CN102277561B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110152705.1
申请日：2011-06-08
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 尚塔尔·艾尔纳 , 埃德·林多
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14
CPC分类号： C23C16/45587 , C23C16/301 , C23C16/455 , C23C16/45568 , C23C16/4584
摘要： 本发明提供了用于多个基板的气体处理的系统和方法。本发明涉及用于一个或更多个基板的气体处理的系统和方法，所述系统和方法在反应室内包括至少两个气体注入器，所述至少两个气体注入器中的一个气体注入器是移动式的。该系统还可以包括用于保持在所述反应室内布置的一个或更多个基板的基板支撑结构。所述移动式气体注入器可以布置在所述基板支撑结构与另一个气体注入器之间。所述气体注入器可以被构造为从它们排出不同的过程气体。所述基板支撑结构可以围绕旋转轴线可旋转。
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公开(公告)号：CN101918611A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880121506.0
申请日：2008-10-30
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/303 , C23C16/448 , C30B25/105
摘要： 本发明涉及半导体加工领域，并提供了通过促进前体气体在其反应之前更有效地热化来改进半导体材料的化学气相沉积(CVD)的设备和方法。在优选实施方式中，本发明包括传热结构体及其在CVD反应器内的安置方式，以促进向流动处理气的传热。在一些可用于对来自加热灯的辐射透明的CVD反应器的优选实施方式中，本发明包括辐射吸收性表面，所述辐射吸收性表面被放置来获取来自所述加热灯的辐射并将其传递至流动处理气。
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公开(公告)号：CN101868853B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880116791.7
申请日：2008-11-12
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 迈克尔·艾伯特·蒂施勒 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67748 , H01L21/6838
摘要： 本发明提供了允许在高温下在气相外延生长室中加载和卸载晶片的设备、协议和方法。具体而言，本发明提供了一种用于移动晶片或者衬底的装置，该装置能够将正被移动的衬底浸浴在活性气体中，任选地对该活性气体的温度进行控制。活性气体可用于限制或者防止晶片表面发生升华或分解，并且可对活性气体进行温度控制，以限制或者防止热损坏。因此，可以减小或者消除生长室之前必要的温度升降，从而提高晶片生产量和系统效率。
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公开(公告)号：CN101743618A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024711.5
申请日：2008-07-25
申请人： 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多 , 苏巴实·马哈詹 , 兰詹·达塔 , 拉胡尔·阿贾伊·特里维迪 , 韩日洙
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 本发明提供了用于制造具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。该方法包括在多个以不规则方式排列在模板结构上的III族氮化物材料的柱形物/岛状物的上部外延生长成核和/或引晶。岛状物的上部具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性。本发明还包括具有基本上连续的掩蔽材料层的模板结构，通过该层显露出柱形物/岛状物的上部。本发明可应用于大范围的元素和化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101849042B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200880114701.0
申请日：2008-12-05
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多 , 丹尼斯·L·古德温
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , Y10T137/8593
摘要： 本发明提供了延伸到生长室中以提供热化前体气体的更准确输送的气体注射器装置。该改进的注射器可将受热的前体气体以在冲击生长基片之前彼此在空间上分开、具有足以大量制造的量的流分配到生长室中。重要的是，该改进的注射器的大小和构造可使其适合于现有的商品化生长室，且不妨碍随所述室使用的机械和机器人基片处理设备的运行。本发明可用于多种元素和化合物半导体的大量生长，尤其可用于III族-V族的化合物和GaN的大量生长。
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公开(公告)号：CN101743618B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880024711.5
申请日：2008-07-25
申请人： 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多 , 苏巴实·马哈詹 , 兰詹·达塔 , 拉胡尔·阿贾伊·特里维迪 , 韩日洙
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 本发明提供了用于制造具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。该方法包括在多个以不规则方式排列在模板结构上的III族氮化物材料的柱形物/岛状物的上部外延生长成核和/或引晶。岛状物的上部具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性。本发明还包括具有基本上连续的掩蔽材料层的模板结构，通过该层显露出柱形物/岛状物的上部。本发明可应用于大范围的元素和化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101903563A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880121507.5
申请日：2008-12-05
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 安德鲁·D·约翰逊 , 瓦西尔·沃尔萨 , 罗伯特·格登·里奇韦 , 彼得·J·马洛里斯
IPC分类号： C23C16/52
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/52 , C23C16/54
摘要： 本发明涉及半导体加工设备和方法的领域，并且特别提供了例如反应室壁上和其它位置等反应室内部的不良沉积物的原位去除方法和设备。根据本发明的方法，将清洁步骤纳入并结合于高通量生长工序中。优选的是，何时暂停生长并启动清洁、何时终止清洁并恢复生长的时间基于传感器的输入值自动确定。本发明还提供了用于高效执行本发明的结合的清洁/生长方法的反应室系统。
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公开(公告)号：CN101918611B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200880121506.0
申请日：2008-10-30
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/448
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/303 , C23C16/448 , C30B25/105
摘要： 本发明涉及半导体加工领域，并提供了通过促进前体气体在其反应之前更有效地热化来改进半导体材料的化学气相沉积(CVD)的设备和方法。在优选实施方式中，本发明包括传热结构体及其在CVD反应器内的安置方式，以促进向流动处理气的传热。在一些可用于对来自加热灯的辐射透明的CVD反应器的优选实施方式中，本发明包括辐射吸收性表面，所述辐射吸收性表面被放置来获取来自所述加热灯的辐射并将其传递至流动处理气。
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公开(公告)号：CN102277561A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110152705.1
申请日：2011-06-08
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 尚塔尔·艾尔纳 , 埃德·林多
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14
CPC分类号： C23C16/45587 , C23C16/301 , C23C16/455 , C23C16/45568 , C23C16/4584
摘要： 本发明提供了用于多个基板的气体处理的系统和方法。本发明涉及用于一个或更多个基板的气体处理的系统和方法，所述系统和方法在反应室内包括至少两个气体注入器，所述至少两个气体注入器中的一个气体注入器是移动式的。该系统还可以包括用于保持在所述反应室内布置的一个或更多个基板的基板支撑结构。所述移动式气体注入器可以布置在所述基板支撑结构与另一个气体注入器之间。所述气体注入器可以被构造为从它们排出不同的过程气体。所述基板支撑结构可以围绕旋转轴线可旋转。
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公开(公告)号：CN102131957A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132889.6
申请日：2009-07-21
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
发明人： 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 迈克尔·艾伯特·蒂施勒 , 瓦西尔·沃尔萨 , 安德鲁·D·约翰逊
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/301 , C30B25/165 , C30B29/403
摘要： 本发明提供一种半导体生长系统，所述半导体生长系统包括室和电磁辐射源。设置检测器以检测由所述反应室的氯化物类化学物质对来自所述源的辐射的吸收。控制系统响应于所述氯化物类化学物质对辐射的吸收来控制对所述室的操作。所述控制系统通过调节所述反应室的参数来控制所述室的操作。
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