公开(公告)号：CN108987600A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810805520.8

申请日：2018-07-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  陈奇珍 ,  胡道兵

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5296 ,  H01L51/502 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种基于量子点的垂直结构发光晶体管及其制备方法，所述基于量子点的垂直结构发光晶体管包括层叠设置的衬底、栅极、绝缘层、网状源极、源极连接介质、有机半导体层、量子点层、电子传输层以及漏极；本发明将量子点发光器件的电致发光特性与垂直结构有机晶体管的开关特性结合起来，同时可通过调控栅压来减小量子点发光器件的操作电压，实现发光强度可任意调控的多功能器件。本发明提供的一种基于量子点的垂直结构发光晶体管的制备方法不仅仅制作方法简单，成本低，而且具有较大的应用价值，为未来提高集成度以及显示行业提供了很大的便利。

公开(公告)号：CN109638166A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811558217.9

申请日：2018-12-19

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  严育杰 ,  郭太良 ,  巫晓敏 ,  陈奇珍 ,  刘亚倩

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/428 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0037

Abstract: 本发明涉及了一种全固态有机电化学光晶体管及其制备方法。该有机电化学光晶体管采用底栅平面结构，器件从下往上依次是基底、固态电解质层、有源层、源漏电极和吸光层；其中固态电解质层采用聚合物离子凝胶电解质，并利用旋涂或刮涂工艺在基底上形成固态电解质层，从而实现全固态有机电化学光晶体管。本发明提供的全固态有机电化学光晶体管在低电压操作下实现了出色的光响应R和探测率D，同时全固态光晶体管的特性可有望进一步集成至先进电子及电路系统中，扩宽高性能电化学晶体管应用领域。该全固态有机电化学晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。

公开(公告)号：CN109449245A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811228346.1

申请日：2018-10-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  曹曙光 ,  汪秀梅 ,  陈奇珍 ,  严育杰

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及了一种金属氧化物光晶体管及其制备方法。该金属氧化物光晶体管采用底栅垂直结构，器件从下往上依次是带有一定厚度二氧化硅氧化层的高掺杂硅片、网状源极和源极接触电极、金属氧化物半导体薄膜以及漏电极。垂直结构金属氧化物光晶体管中的半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印或磁控溅射技术制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物光晶体管可实现直接图案化、器件均一性好，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的光响应R和外量子效率EQE。该垂直结构的金属氧化物光晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。

公开(公告)号：CN109545968B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201811359069.8

申请日：2018-11-15

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  汪秀梅 ,  郭太良 ,  方圆 ,  杨辉煌 ,  陈奇珍

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109545968A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811359069.8

申请日：2018-11-15

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  汪秀梅 ,  郭太良 ,  方圆 ,  杨辉煌 ,  陈奇珍

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明提出一种基于自供电栅的有机薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：压电栅、设置在所述压电栅上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的有机半导体层、设置在所述有机半导体层上的源极和漏极；所述压电栅自下而上依次包括：下表面电极、压电薄膜或铁电驻极体、上表面电极。相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：通过自供电栅结构，可以将机械能转换成电能，在与其上下表面电极相连的栅极和漏极之间产生电压差取代外加栅压的作用，在绝缘层和有机半导体层界面感应出载流子，实现栅压的调控作用。通过其可以自身提供栅压取代外加栅压的特性，可以为人机交互、物联网及触屏光电技术等的发展提供技术支持，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN111048664A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911245752.3

申请日：2019-12-07

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  严育杰 ,  郭太良 ,  陈耿旭 ,  陈奇珍 ,  巫晓敏 ,  柯钰丹

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法，所述垂直结构的有机电化学晶体管为顶栅垂直结构，从下往上依次为基底、漏电极、有源层、网状源电极，电解质层和栅电极。其制备方法包括以下步骤：1）在具有图案化漏电极的基底上通过旋涂工艺沉积聚合物导电薄膜并退火，制得有源层；2）在有源层上通过旋涂工艺沉积网状源电极薄膜并退火；3）在网状源电极上通过旋涂或刮涂工艺沉积聚合物离子凝胶电解质并退火，制得电解质层；4）在电解质层上通过热蒸镀的方法制备栅电极，得到垂直结构的有机电化学晶体管。该方法制备的有机电化学晶体管可以缩小器件尺寸，提高器件性能，扩展其应用范围。