公开(公告)号：CN108511608A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810315359.6

申请日：2018-04-10

申请人： 北京化工大学

发明人： 陆军 ,  陈文鹏

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/42 ,  H01L51/428

摘要： 本发明涉及一种用于钙钛矿太阳能电池电子传输层的水滑石热解材料及其制备方法、钙钛矿太阳能电池。本发明利用锌源和铝源通过胶体磨法制备出锌铝水滑石后，将其热解产物铝掺杂的氧化锌二维纳米片用有机溶剂分散，旋涂到基底FTO上，500-600℃下退火形成电子传输层。利用水滑石纳米片抗水和稳定的特性，使钙钛矿物质的稳定性得以提高，同时电极材料选择碳电极作为阳极，密封性得以提高，更加可以提高钙钛矿层的抗潮解性能，同时延长钙钛矿电池的寿命。此外，本发明提供的电池制备简单，可简化对器件封装的要求，提高器件寿命，降低制造成本。

公开(公告)号：CN107331689A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710600933.8

申请日：2017-07-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 王庆贺 ,  胡大庆 ,  彭锐 ,  苏同上 ,  李广耀 ,  张扬 ,  王东方 ,  袁广才

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/52 ,  H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/3269 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/428 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5206 ,  H01L2227/323

摘要： 本发明提供了一种发光结构、显示装置及其制作方法。本发明提供的发光结构中，在柔性基板上层叠设置有薄膜晶体管和有机发光二极管结构层，薄膜晶体管内设置有光敏半导体层，光敏半导体层将从有机发光二极管结构层接收的光线转换成增强电流，以增大由所述薄膜晶体管输出至所述有机发光二极管结构层的控制电流，提高有机发光二极管结构层的发光亮度，因此本发明实施例提供的发光组件可以在较低的控制电压下获得较强的光源亮度，具有低功耗、带电时间长等优点。

公开(公告)号：CN107004690A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201680003689.0

申请日：2016-10-21

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 玉置德彦

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/00 ,  H01L31/10 ,  H04N5/3745

CPC分类号： H01L51/428 ,  H01L27/146 ,  H01L27/307 ,  H01L31/00 ,  H01L31/10 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/447 ,  H04N5/33 ,  H04N5/359 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3698 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378 ,  H04N9/045 ,  Y02E10/549

摘要： 本申请的光传感器具备：半导体层；半导体层上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对半导体层内的源极区和漏极区中的一者与栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与源极区和漏极区中的另一者连接。光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在第一电压范围与第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比第一电压范围和第二电压范围小，电压供给电路以使施加于光电转换层的偏压为第三电压范围内的方式施加电压，信号检测电路对与由入射光而产生的光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。

公开(公告)号：CN106784320A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611124458.3

申请日：2016-12-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 贾仁需 ,  刘银涛 ,  汪钰成 ,  庞体强 ,  张玉明

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/428 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0096

摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成电子传输层；在电子传输层表面形成包括CH3NH3PbI3材料的光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成N型异质结HEMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，在衬底下表面镀银形成反射增强型HEMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。

公开(公告)号：CN105720198A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610130690.1

申请日：2016-03-08

申请人： 中国计量学院

发明人： 钱宏昌 ,  唐莹 ,  韦一 ,  彭应全

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  H01L51/428 ,  H01L51/441 ,  H01L51/448 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明提供的一种温度控制开关的有机异质结光敏场效应晶体管及其制备方法及其制备方法，改善了现有的有机场效应晶体管输出电流小的问题，并使其具有温度控制开关的功能，其结构如图1所示，包括衬底(1)、开关电极(2)、栅电极(3)、绝缘层(4)、光敏有机半导体层(5)、电子传输层(6)、第一缓冲层(701)、第二缓冲层(702)、源电极(801)、漏电极(802)、第一封装层(9)、第二封装层(10)。

公开(公告)号：CN104993056A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510319638.6

申请日：2015-06-11

申请人： 上海电力学院

发明人： 汤乃云

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/00

CPC分类号： Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/428 ,  H01L51/0097

摘要： 本发明涉及一种宽频谱柔性光电探测器及其制作方法，该探测器自下而上依次包括：柔性衬底层，在柔性衬底层上生长的金属电极层，该金属电极层为栅极，在金属电极层上覆盖生长的介质层，生长或转移覆盖在介质层上的石墨烯层，在石墨烯层的两端设置的第一金属电极和第二金属电极，所述的第一金属电极为源电极，所述的第二金属电极为漏电极。本发明可快速探测到石墨烯中光生载流子引起的源漏电极之间的光电流变化。因为石墨烯禁带宽度为零，且具有高电子迁移率、低电阻率，发明能够实现宽频谱、响应迅速的光电探测。同时因光电探测器采用柔性衬底，故本发明形状可弯曲伸展，形成柔性探测，具有广泛应用前景。

公开(公告)号：CN103972387A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310041489.2

申请日：2013-02-01

申请人： 兰州大学

发明人： 彭应全 ,  吕文理 ,  罗消

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/428 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/4286

摘要： 本发明公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管的设计与制备方法。混合平面-体异质结光敏有机场效应管包括衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层，有机体异质结光敏层，漏极和源极。有机体异质光敏结层实现产生光生载流子的功能，只要求其具有高的光敏性或光生载流子产生效率，而不要求其具有高的迁移率。有机载流子输运层实现光生载流子的输运功能，只要求其具有高的迁移率，而不要求其具有高的光敏性。这种结构极大地扩大了有机材料的选择范围。一方面提高了光生载流子的产生效率，另一方面提高了有机载流子迁移率。因此本发明能有效提高光敏有机场效应管的性能。

公开(公告)号：CN101685845B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910176186.5

申请日：2009-09-24

申请人： 索尼株式会社

发明人： 平田晋太郎 ,  保原大介

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/48 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/428 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78681 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/072 ,  H01L31/073 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/426 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法，其中，形成半导体薄膜的方法包括以下步骤：(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层，以及(b)将半导体微粒层浸入溶液中以形成半导体薄膜。通过本发明，可以使用无机半导体微粒作为起始材料通过简单方便的湿处理来以低成本地形成具有期望特性的半导体薄膜，从而提供具有期望特性的电子设备。

公开(公告)号：CN101595577A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200780038624.0

申请日：2007-08-22

申请人： 特拉维夫大学拉莫特有限公司

发明人： C·卡梅利 ,  I·卡梅利 ,  S·里克特 ,  L·弗罗洛夫

IPC分类号： H01L51/46

CPC分类号： H01L51/428 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0093 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本文公开了一种包含氨基酸序列的经修饰的分离多肽，该序列编码能够共价连接到固体表面并在连接到固体表面时具有光催化活性的光合生物的光催化单元。

公开(公告)号：CN100555702C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200610016822.4

申请日：2006-04-29

申请人： 中国科学院长春应用化学研究所

发明人： 闫东航 ,  王海波 ,  朱峰 ,  史建武 ,  宋德

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L51/428 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

摘要： 本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜，既可以是n型半导体，也可以是p型半导体；本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列，与有序基板存在取向关系。本发明制备有机半导体晶体薄膜可用于有机晶体管和有机光电三极管器件。本发明制备方法的优点是能够控制有机半导体晶体的高载流子迁移率方向在薄膜内取向有序，增强晶体之间的接触，提高薄膜的机械强度和微加工性质，载流子迁移率高，本发明弱取向外延生长薄膜为0.24cm2/Vs，是气相沉积膜的5倍，具有类单晶的性质。本发明制备方法的另一优点是适合玻璃基板和塑料基板。