多晶金刚石结构
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103827436A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201280030661.8

    申请日:2012-05-10

    IPC分类号: E21B10/567 E21C35/183

    摘要: 一种PCD结构,该PCD结构包括第一区域(24)和与所述第一区域相邻的第二区域(25),所述第二区域通过金刚石晶粒的交互生长结合至所述第一区域;所述第一区域包括多个交替的晶层或层(24c,24t),每一个晶层或层的厚度在约5至300微米的范围内。所述第二区域(25)包括多个晶层或层,在所述第二区域中的一个或更多个晶层或层的厚度大于在所述第一区域(24)内的单独的晶层或层的厚度。在所述第一区域中交替的层或晶层包括与第二层或晶层交替的第一层或晶层,所述第一层或晶层处于残余压缩应力状态,并且所述第二层或晶层处于残余拉伸应力状态。