公开(公告)号：CN112041964B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201980027056.7

申请日：2019-05-01

申请人： 等离子瑟姆NES有限公司

发明人： 萨尔帕加拉·H·海格德 ,  文森特·李

IPC分类号： H01J37/305 ,  C23C14/22

摘要： 本公开提供一种在晶片蚀刻或沉积工艺期间校正不对称的方法，包括：‑从等离子体源105产生等离子体，所述等离子体源包括等离子体腔室110和离子提取栅格系统150，所述离子提取栅格系统被配置成从所述等离子体产生离子束，所述离子束具有中心轴；‑在载物台140上支撑晶片180；‑沿着扫描路径500‑510相对于所述离子束扫描所述晶片；以及‑根据所述晶片的位置修改所施加的射束通量。具体地，本公开提供一种在扫描离子束蚀刻工艺中调整扫描的不对称速率以校正所述晶片上的器件结构的内侧和外侧之间的蚀刻不对称同时保持跨全晶片的总体蚀刻均匀性的方法。

公开(公告)号：CN112041964A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201980027056.7

申请日：2019-05-01

申请人： 等离子瑟姆NES有限公司

发明人： 萨尔帕加拉·H·海格德 ,  文森特·李

IPC分类号： H01J37/305 ,  C23C14/22

摘要： 本公开提供一种在晶片蚀刻或沉积工艺期间校正不对称的方法，包括：‑从等离子体源105产生等离子体，所述等离子体源包括等离子体腔室110和离子提取栅格系统150，所述离子提取栅格系统被配置成从所述等离子体产生离子束，所述离子束具有中心轴；‑在载物台140上支撑晶片180；‑沿着扫描路径500‑510相对于所述离子束扫描所述晶片；以及‑根据所述晶片的位置修改所施加的射束通量。具体地，本公开提供一种在扫描离子束蚀刻工艺中调整扫描的不对称速率以校正所述晶片上的器件结构的内侧和外侧之间的蚀刻不对称同时保持跨全晶片的总体蚀刻均匀性的方法。