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公开(公告)号：CN102157536B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110023676.9
申请日：2011-01-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: 一种固态成像器件，其包括像素区域，其中二维地安排在多个光电转换部分中共享像素晶体管的共享像素。在共享像素的列方向上分开地安排共享的像素晶体管，安排相邻的共享像素之间共享的像素晶体管，以便为水平反转或/和垂直交叉，并且沿着列方向安排连接到共享像素中的浮置扩散部分、重置晶体管的源极和放大晶体管的栅极的连接布线。
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公开(公告)号：CN102169883A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110022293.X
申请日：2011-01-20
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种固态成像装置及其制造方法、电子设备。该固态成像装置包括：多个像素，每个像素包括光电转换单元和多个像素晶体管，该多个像素形成在半导体基板上；在像素中的浮置扩散单元；用于表面钉扎的第一导电类型的离子注入区域，该区域形成在光电转换单元侧的表面上以及半导体基板的表面上；以及用于形成溢流路径的第二导电类型的离子注入区域，该溢流路径用作浮置扩散单元的溢流路径，该第二导电类型的离子注入区域形成在第一导电类型的离子注入区域的整个区域的下方。溢流阻挡通过采用第二导电类型的离子注入区域而形成。电荷存储区域通过采用其中第二导电类型的半导体区域与第二导电类型的离子注入区域彼此重叠的区域而形成。
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公开(公告)号：CN107104118B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201710073089.8
申请日：2012-07-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件以及电子设备。其中，固体摄像器件包括：半导体基板，其包括接收入射光的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光电二极管区，其形成在所述半导体基板中，所述光电二极管区包括：第一n型半导体区，第一p型半导体区，第二n型半导体区，第二p型半导体区；以及栅极，其在所述半导体基板中从所述第二表面沿深度方向延伸，其中，所述第一n型半导体区、所述第一p型半导体区、所述第二n型半导体区和所述第二p型半导体区从所述半导体基板的第二表面侧按此顺序在所述深度方向上设置。
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公开(公告)号：CN112992949A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110159323.5
申请日：2016-01-22
Applicant: 索尼公司
Inventor： 城户英男
IPC: H01L27/146 , H04N5/238 , H04N5/355 , H04N5/359 , H04N5/374
Abstract: 本技术涉及能够改善饱和特性的固体摄像装置和电子设备。光电二极管被形成在基板上，并且浮动扩散部积累从所述光电二极管读取的信号电荷。在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间的区域中、从所述基板的表面沿深度方向形成有多个垂直栅极电极。在夹于所述多个垂直栅极电极的区域中形成有溢出路径。本技术能够被应用到CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN104795417B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510174067.1
申请日：2011-01-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: 本发明提供一种固态成像器件和电子装置。所述固态成像器件包括：第一像素，包括：第一多个光电转换部分；由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分，所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括：第二多个光电转换部分；由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分，所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中，所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管布置在第一行中，并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851898A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510174068.6
申请日：2011-01-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种固态成像器件和电子装置。所述固态成像器件包括：第一像素，包括：第一多个光电转换部分；由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分，所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括：第二多个光电转换部分；由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分，所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中，所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管以该顺序在第一行中相互相邻，并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中。
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公开(公告)号：CN104795417A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510174067.1
申请日：2011-01-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/148 , H04N5/3742 , H04N5/3745 , H04N5/3765
Abstract: 本发明提供一种固态成像器件和电子装置。所述固态成像器件包括：第一像素，包括：第一多个光电转换部分；由所述第一多个光电转换部分共享的第一晶体管部分，所述第一晶体管部分包括第一重置晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括：第二多个光电转换部分；由所述第二多个光电转换部分共享的第二晶体管部分，所述第二晶体管部分包括第二重置晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管，其中，所述第一选择晶体管、第一放大晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管布置在第一行中，并且所述第一重置晶体管和所述第二重置晶体管布置在第二行中。
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公开(公告)号：CN104349147A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410352991.X
申请日：2014-07-23
Applicant: 索尼公司
Inventor： 城户英男
IPC: H04N9/04 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/369 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H04N5/332 , H04N5/335 , H04N5/374
Abstract: 一种成像元件包括光电转换部分和布线层。所述光电转换部分配置为光电转换从被摄体入射的光。所述布线层相对于光电转换部分提供在被摄体的相对侧，并且包括连接到构成像素的元件的布线，所述像素包括光电转换部分。所述布线包括在预定方向上延伸长的多个布线。所述多个布线在布线层中在基本垂直所述预定方向的方向上安排。所述布线提供有在不同于所述预定方向的方向上凸出的凸起。
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公开(公告)号：CN102881698A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210232192.X
申请日：2012-07-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1461 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供能增加饱和电荷量的固体摄像器件及其制造方法以及电子设备，该固体摄像器件包括：第一光电二极管，其包括形成于半导体基板的第一主面侧的第一个第一导电型半导体区和与第一个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第一个第二导电型半导体区；第二光电二极管，其包括形成于半导体基板的第二主面侧的第二个第一导电型半导体区和与第二个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第二个第二导电型半导体区；和栅极，其形成于半导体基板的第一主面侧，第二个第一导电型半导体区和第二个第二导电型半导体区之间的连接面的杂质浓度等于或大于第二个第二导电型半导体区的与第二个第一导电型半导体区相反侧的层的连接面的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN112992949B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110159323.5
申请日：2016-01-22
Applicant: 索尼公司
Inventor： 城户英男
IPC: H10F39/18 , H10F39/12 , H04N25/76 , H04N25/57 , H04N25/78 , H04N25/621 , H04N25/779
Abstract: 本技术涉及能够改善饱和特性的固体摄像装置和电子设备。光电二极管被形成在基板上，并且浮动扩散部积累从所述光电二极管读取的信号电荷。在所述光电二极管与所述浮动扩散部之间的区域中、从所述基板的表面沿深度方向形成有多个垂直栅极电极。在夹于所述多个垂直栅极电极的区域中形成有溢出路径。本技术能够被应用到CMOS图像传感器。
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