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公开(公告)号：CN1515053A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02811751.4
申请日：2002-06-14
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。
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公开(公告)号：CN1203559C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02140341.4
申请日：2002-07-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C30B33/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/28575 , H01L21/3245
Abstract: 一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：形成掺有p型杂质的氮化物半导体；在含有活性氧的气氛中氧化氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及在400度以上的温度下使氮化物半导体退火，将氮化物半导体的导电类型转变为p型。由于除去了留在氮化物半导体表面上的碳和其上形成的氧化膜，因此可以防止由于激活处理氮化物半导体的表面退化，并且增加了p型杂质的激活速率。由此，可以减小氮化物半导体与电极的接触电阻，由此减小了氮化物半导体的特性变化。
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公开(公告)号：CN1305193C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN02811751.4
申请日：2002-06-14
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。
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公开(公告)号：CN1395322A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02140341.4
申请日：2002-07-01
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: C30B33/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/28575 , H01L21/3245
Abstract: 一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：形成掺有p型杂质的氮化物半导体；氧化氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及激活p型杂质，将氮化物半导体的导电类型转变为p型。由于除去了留在氮化物半导体表面上的碳和其上形成的氧化膜，因此可以防止由于激活处理氮化物半导体的表面退化，并且增加了p型杂质的激活速率。由此，可以减小氮化物半导体与电极的接触电阻，由此减小了氮化物半导体的特性变化。
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