公开(公告)号：CN1515053A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811751.4

申请日：2002-06-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 东条刚 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  内田史朗 ,  池田昌夫

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。

公开(公告)号：CN1305193C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02811751.4

申请日：2002-06-14

Applicant: 索尼公司

Inventor： 东条刚 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  内田史朗 ,  池田昌夫

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。