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公开(公告)号：CN110678992B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201880035294.8
申请日：2018-04-26
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种发光装置，该发光装置包括：发光层，该发光层设置在第一面与第二面之间；第一电极，该第一电极设置在第一面上并且电耦合至发光层；第二电极，该第二电极设置在第二面上并且电耦合至发光层；以及非选择电极，该非选择电极设置在第一面上并且处于未电耦合至电位供应源的状态中。
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公开(公告)号：CN109075240B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201780019882.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供一种发光元件组件，包括下列：发光元件(11)，设置有发光层、第一电极(31)、以及第二电极(32)；以及第一连接部(41)和第二连接部(42)，设置在基体(40)上。第一连接部(41)与第二连接部(42)通过暴露基体(40)的分离部(43)被隔开。分离部(43)的第一连接部侧设置有加宽部分(44)。第一电极(31)包括第一部分(31A)和第二部分(31B)。第一电极的第二部分(31B)连接至第一连接部(41)，并且第一电极的第一部分(31A)从第一电极的第二部分(31B)开始延伸。以下组件相对于基体(40)的正交视图彼此至少部分重叠：第一电极的第一部分(31A)与分离部(43)的加宽部分(44)。
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公开(公告)号：CN109075240A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780019882.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 提供一种发光元件组件，包括下列：发光元件11，设置有发光层、第一电极31、以及第二电极32；以及第一连接部41和第二连接部42，设置在基体40上。第一连接部41与第二连接部42通过暴露基体40的分离部43被隔开。分离部43的第一连接部侧设置有加宽部分44。第一电极31包括第一部分31A和第二部分31B。第一电极的第二部分31B连接至第一连接部41，并且第一电极的第一部分31A从第一电极的第二部分31B开始延伸。以下组件相对于基体40的正交视图彼此至少部分重叠：第一电极的第一部分31A与分离部43的加宽部分44。
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公开(公告)号：CN104280882A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410294540.5
申请日：2014-06-26
Applicant: 索尼公司
Inventor： 琵琶刚志
IPC: G02B27/01
CPC classification number: G02B27/017 , G02B2027/0127 , G02B2027/014 , G02B27/0172
Abstract: 本发明涉及头戴式显示设备、系统以及方法。在本发明中，框架被安装到用户的头部。成像系统接合到所述框架，所述成像系统包括布置在基板上的一个以上的显示装置以及布置在所述基板上的一个以上的传感器。光学系统在所述用户的眼睛与所述一个以上的传感器之间提供光路，并且在所述用户的眼睛与所述一个以上的显示装置之间提供相同的光路。虽然使用了简单的构造和结构，但仍能够容易地对到观察者所观察的外部目标物体的距离进行测量，并且也能够容易地验证由图像形成装置显示的图像以聚焦状态到达观察者。
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公开(公告)号：CN100350636C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN02800913.4
申请日：2002-02-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构。在一构造成经过其衬底引出光的半导体发光器件中，电极层形成在有源层上形成的p型半导体层(例如p型GaN层)上，且镍层形成为电极层和p型半导体层之间的且在厚度上被调整为不超出有源层中产生的光的穿透深度的接触金属层。由于镍层充分薄，所以反射效率可以提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104280882B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410294540.5
申请日：2014-06-26
Applicant: 索尼公司
Inventor： 琵琶刚志
IPC: G02B27/01
CPC classification number: G02B27/017 , G02B2027/0127 , G02B2027/014
Abstract: 本发明涉及头戴式显示设备、系统以及方法。在本发明中，框架被安装到用户的头部。成像系统接合到所述框架，所述成像系统包括布置在基板上的一个以上的显示装置以及布置在所述基板上的一个以上的传感器。光学系统在所述用户的眼睛与所述一个以上的传感器之间提供光路，并且在所述用户的眼睛与所述一个以上的显示装置之间提供相同的光路。虽然使用了简单的构造和结构，但仍能够容易地对到观察者所观察的外部目标物体的距离进行测量，并且也能够容易地验证由图像形成装置显示的图像以聚焦状态到达观察者。
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公开(公告)号：CN104517946A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410494384.7
申请日：2014-09-24
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/46
CPC classification number: F21K9/00 , F21Y2105/00 , F21Y2105/10 , F21Y2105/12 , F21Y2107/50 , F21Y2115/10 , G09G3/2003 , G09G3/32 , G09G2320/0242 , G09G2320/045 , H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了发光装置、发光单元、显示装置、电子设备和发光元件。该发光装置，包括：具有偏置光特性的多个发光元件；以及安装基板，其中发光元件被布置使得在包括多个发光元件之中的至少两个发光元件的组内互补偏置光特性。另外，提供了发光单元、显示装置、电子设备和利用多个点光源的发光元件。
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公开(公告)号：CN1241272C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02803189.X
申请日：2002-08-21
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/32 , H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/2272 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种具有出色特性的氮化物半导体器件以及该氮化物半导体器件的制造方法，该器件具有通过选择性生长生长成三维形状的器件结构。根据本发明的氮化物半导体器件包括一生长为三维形状的晶体层，该晶体层具有一侧面部分(16s)和一上层部分(16t)，其中一电极层(21)经一高电阻区形成于该上层部分上，该高电阻区通过一未掺杂氮化镓层(17)等而形成。由于该高电阻区是设置于上层部分(16t)之上，使得电流绕过该上层部分(16t)的该高电阻区流动，从而形成了避过该上层部分(16t)而主要是沿侧面部分(16s)延伸的电流通路，从而抑制了结晶度差的该上层部分(16t)中的电流。
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公开(公告)号：CN110678992A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035294.8
申请日：2018-04-26
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种发光装置，该发光装置包括：发光层，该发光层设置在第一面与第二面之间；第一电极，该第一电极设置在第一面上并且电耦合至发光层；第二电极，该第二电极设置在第二面上并且电耦合至发光层；以及非选择电极，该非选择电极设置在第一面上并且处于未电耦合至电位供应源的状态中。
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公开(公告)号：CN102655197A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210045868.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种发光单元和显示装置。发光单元包括多种具有不同发光波长的发光元件，其中，在多种发光元件中，至少一种发光元件包括：半导体层，其通过层叠第一导电层、活性层和第二导电层而构造，并具有暴露出第一导电层、活性层和第二导电层的侧表面；第一电极，其电连接到第一导电层；第二电极，其电连接到第二导电层；第一绝缘层，其接触半导体层的表面中的至少活性层的露出表面；以及金属层，其接触第一绝缘层的表面中至少与活性层的露出表面相对的表面，并与第一电极和第二电极电分离。
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