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公开(公告)号：CN106463521B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201680001468.X
申请日：2016-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及能够通过在多个像素之间共用浮动扩散部(FD)来以低的成本进一步使像素小型化而不降低灵敏度和转换效率的固态成像元件、成像装置和电子设备。在针对一个片上滤色器(OCCF)和/或一个片上透镜(OCL)布置有多个像素的构造中，一个FD被由包括不同的OCCF像素的多个像素构成的一个共用单元共用。本发明适用于CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN108447878B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810082859.X
申请日：2016-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及成像装置和电子设备。其中，成像装置包括：第一单元，包括第一传输晶体管、第二传输晶体管，以及第一滤色器；第二单元，包括第三传输晶体管、第四传输晶体管，以及第二滤色器；第三单元，包括第五传输晶体管、第六传输晶体管，以及第三滤色器；第四单元，包括第七传输晶体管、第八传输晶体管，以及第四滤色器，第一传输控制信号线，电连接到第一和第五传输晶体管的栅极；第二传输控制信号线，电连接到第二和第六传输晶体管的栅极；第三到第六传输控制信号线，分别电连接到第三传输晶体管的栅极、第四传输晶体管的栅极、第七传输晶体管的栅极，以及第八传输晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN104995734B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201480009183.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN109616484A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811167528.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。
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公开(公告)号：CN108174128A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810083665.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及成像装置和电子设备。其中，成像装置包括：第一单元，包括第一组四个光电转换区、第一组四个传输晶体管、第一浮动扩散部和第一组两个滤色器；第二单元，包括第二组四个光电转换区、第二组四个传输晶体管、第二浮动扩散部和第二组两个滤色器，其中所述第一单元和所述第二单元沿水平方向布置；布线，连接到所述第一浮动扩散部和所述第二浮动扩散部；共用晶体管，至少包括放大晶体管，所述放大晶体管具有经由所述布线连接到所述第一浮动扩散部和所述第二浮动扩散部的栅极，所述共用晶体管沿所述水平方向布置；以及第一垂直信号线，连接到所述放大晶体管，所述第一垂直信号线沿垂直方向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104995734A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480009183.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14647 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。
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公开(公告)号：CN109461747B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
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公开(公告)号：CN111508981A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010084128.6
申请日：2016-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及成像装置。该成像装置可包括：第一单元，包括第一组四个传输晶体管、第二组四个传输晶体管和第一组四个滤色器；第二单元，包括第三组四个传输晶体管、第四组四个传输晶体管和第二组四个滤色器；其中，所述第一单元和所述第二单元沿水平方向交替设置，其中，第一组四个传输控制信号线沿所述水平方向延伸，并且分别电连接至所述第一组四个传输晶体管的栅极，并且分别电连接至所述第三组四个传输晶体管的栅极，其中，第二组四个传输控制信号线沿所述水平方向延伸，并且分别连接至所述第二组四个传输晶体管的栅极，并且其中，第三组四个传输控制信号线沿所述水平方向延伸，并且分别连接至所述第四组四个传输晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN108174128B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810083665.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及成像装置和电子设备。其中，成像装置包括：第一单元，包括第一组四个光电转换区、第一组四个传输晶体管、第一浮动扩散部和第一组两个滤色器；第二单元，包括第二组四个光电转换区、第二组四个传输晶体管、第二浮动扩散部和第二组两个滤色器，其中所述第一单元和所述第二单元沿水平方向布置；布线，连接到所述第一浮动扩散部和所述第二浮动扩散部；共用晶体管，至少包括放大晶体管，所述放大晶体管具有经由所述布线连接到所述第一浮动扩散部和所述第二浮动扩散部的栅极，所述共用晶体管沿所述水平方向布置；以及第一垂直信号线，连接到所述放大晶体管，所述第一垂直信号线沿垂直方向延伸。
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公开(公告)号：CN109461747A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
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