-
公开(公告)号：CN109616484B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811167528.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。
-
公开(公告)号：CN101826543A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010129995.3
申请日：2010-03-04
Applicant: 索尼公司
Inventor： 山口晋平
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及固态图像拍摄设备及其制备方法。该固态图像拍摄设备包括半导体衬底、光电转换器、转移栅极、绝缘层、第一硅层和像素晶体管部分。光电转换器将入射光的光能转换成电能，并且获得信号电荷。光电转换器形成在半导体衬底中的表面侧。转移栅极读取来自光电转换器的信号电荷，并且转移栅极形成在半导体衬底上邻近于光电转换器。绝缘层形成在半导体衬底中的光电转换器上。第一硅层形成在绝缘层上。像素晶体管部分放大且输出由转移栅极读取的信号电荷。像素晶体管部分以第一硅层作为有源区形成在绝缘层上。
-
公开(公告)号：CN104995734B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201480009183.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。
-
公开(公告)号：CN109461747B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
-
公开(公告)号：CN109461747A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811167443.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579270A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310329302.9
申请日：2013-07-31
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。
-
公开(公告)号：CN109616484A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811167528.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了固态成像器件和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板；光电二极管，所述光电二极管形成在所述硅基板中；传输晶体管，所述传输晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入所述硅基板中；和第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型，其中所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分在平面图中与所述光电二极管重叠，以及其中所述第一半导体区域环绕所述栅极电极的嵌入所述硅基板中的所述部分。
-
公开(公告)号：CN103579270B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201310329302.9
申请日：2013-07-31
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及能够抑制硅基板中界面的界面状态劣化的使用互补金属氧化物半导体（CMOS）的背照射式图像传感器、包括所述图像传感器的成像装置以及用于制造所述图像传感器的装置及方法，所述背照射式图像传感器包括：光接收单元，其形成于半导体基板中，并且用于接收入射光；抗反射膜，其形成于其中形成有所述光接收单元的所述半导体基板的背面侧上；以及氧化硅膜，其形成于所述抗反射膜的背面侧上，所述氧化硅膜具有低于氮化硅膜的折射率且其背面侧中的密度高于其正面侧中的密度。
-
公开(公告)号：CN104995734A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480009183.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14647 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了固态成像器件、固态成像器件的制造方法和电子装置。更具体地，固态成像器件包括硅基板和形成在所述硅基板中的至少第一光电二极管。所述器件还包括外延层和传输晶体管，所述外延层的第一表面与所述硅基板的表面相邻，且所述传输晶体管的栅极电极从所述至少第一光电二极管延伸至所述外延层的与所述第一表面相对的第二表面。在其它实施例中，提供了具有多个像素的固态成像器件，所述多个像素形成在第二半导体基板中，且所述多个像素关于中心点对称。浮动扩散部形成在外延层中，且提供了多个传输栅极电极，每个所述传输栅极电极通过一个所述传输栅极电极电连接到所述浮动扩散部。
-
公开(公告)号：CN101826543B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010129995.3
申请日：2010-03-04
Applicant: 索尼公司
Inventor： 山口晋平
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及固态图像拍摄设备及其制备方法。该固态图像拍摄设备包括半导体衬底、光电转换器、转移栅极、绝缘层、第一硅层和像素晶体管部分。光电转换器将入射光的光能转换成电能，并且获得信号电荷。光电转换器形成在半导体衬底中的表面侧。转移栅极读取来自光电转换器的信号电荷，并且转移栅极形成在半导体衬底上邻近于光电转换器。绝缘层形成在半导体衬底中的光电转换器上。第一硅层形成在绝缘层上。像素晶体管部分放大且输出由转移栅极读取的信号电荷。像素晶体管部分以第一硅层作为有源区形成在绝缘层上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.022 seconds)
