公开(公告)号：CN103443026A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280014055.7

申请日：2012-03-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 吉崎诚 ,  饭田广范 ,  带川崇 ,  山田心一郎 ,  田畑诚一郎 ,  宇佐美一真 ,  三木理和 ,  石原弘嗣 ,  山井俊 ,  湊屋街子

IPC: C01B31/10 ,  A23L1/30 ,  A24D3/16 ,  A61K33/44 ,  A61K47/04 ,  B01J20/20 ,  C12M3/00

CPC classification number: B01J20/28085 ,  A23L33/10 ,  A23L33/16 ,  A24D3/163 ,  A41D13/11 ,  A61K9/143 ,  A61K9/70 ,  A61K33/44 ,  B01J20/20 ,  B01J20/28035 ,  B01J20/28064 ,  B01J20/28069 ,  B01J20/28078 ,  B01J20/28083 ,  B01J20/3078 ,  B01J20/3085 ,  B01J2220/485 ,  C01B32/324 ,  C01B32/336 ,  C02F1/283 ,  C02F1/288 ,  C12M25/14

Abstract: 本发明的目的在于提供一种多孔碳材料，其能够有效地吸附期望的物质。本发明的多孔碳材料以泥煤为原料，并且由非定域密度函数理论法得到的直径为1×10-8m～2×10-7m的微孔的总体积为0.5cm3/g或更高，或者由BJH法得到的微孔的体积为0.5cm3/g或更高。

公开(公告)号：CN101931051B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010205349.0

申请日：2010-06-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田中正信 ,  石原弘嗣 ,  陈海晶 ,  栗原研一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：栅极电极，其布置在衬底上；半导体层，其由有机半导体形成，并构成沟道区域；栅极绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述半导体层之间；以及一对源极/漏极电极，其电连接至所述半导体层。所述半导体层包括突起部分，所述突起部分在所述半导体层的与所述衬底面对的表面上的、除所述半导体层的端部附近区域之外的内侧区域朝向所述衬底突起。

公开(公告)号：CN101819359B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010126151.3

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 石原弘嗣 ,  田中正信 ,  岛村敏规 ,  龟井隆广

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/133504

Abstract: 本发明提供形成反射电极的方法、驱动基板和显示装置。形成反射电极的方法包括如下步骤：在基板的电极形成区域的第一区域中形成第一催化层；通过进行第一无电镀敷处理，在第一催化层上形成第一镀敷层；至少在电极形成区域的第一区域之外的区域(第二区域)中形成第二催化层；以及通过进行第二无电镀敷处理，在第二催化层上形成第二镀敷层，从而反射电极形成为具有凹凸表面。

公开(公告)号：CN101931051A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010205349.0

申请日：2010-06-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田中正信 ,  石原弘嗣 ,  陈海晶 ,  栗原研一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：栅极电极，其布置在衬底上；半导体层，其由有机半导体形成，并构成沟道区域；栅极绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述半导体层之间；以及一对源极/漏极电极，其电连接至所述半导体层。所述半导体层包括突起部分，所述突起部分在所述半导体层的与所述衬底面对的表面上的、除所述半导体层的端部附近区域之外的内侧区域朝向所述衬底突起。

公开(公告)号：CN101819359A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010126151.3

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 石原弘嗣 ,  田中正信 ,  岛村敏规 ,  龟井隆广

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/133504

Abstract: 本发明提供形成反射电极的方法、驱动基板和显示装置。形成反射电极的方法包括如下步骤：在基板的电极形成区域的第一区域中形成第一催化层；通过进行第一无电镀敷处理，在第一催化层上形成第一镀敷层；至少在电极形成区域的第一区域之外的区域(第二区域)中形成第二催化层；以及通过进行第二无电镀敷处理，在第二催化层上形成第二镀敷层，从而反射电极形成为具有凹凸表面。