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    有机薄膜晶体管及其制作方法
    3.
    发明公开
    有机薄膜晶体管及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN108695434A

    公开(公告)日：2018-10-23

    申请号：CN201710222765.3

    申请日：2017-04-07

    申请人： 元太科技工业股份有限公司

    发明人： 冉晓雯 ,  蔡娟娟 ,  陈俊智 ,  刘洪铨 ,  李宗玹 ,  陈蔚宗

    IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40

    CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/105

    摘要： 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法，有机薄膜晶体管包含基板、疏水层、氧化层、亲水层、半导体层与源极或漏极层。疏水层覆盖基板的表面。氧化层位于疏水层上，且氧化层具有多个区段。亲水层位于氧化层的区段上，且氧化层位于亲水层与疏水层之间。半导体层位于亲水层上，且亲水层位于半导体层与氧化层之间。源极或漏极层跨接于氧化层的区段上的半导体层上。有机薄膜晶体管的亲水层不需经过光阻涂布、曝光、显影与蚀刻等步骤，便可将亲水层图案化，使得亲水层不会接触到光阻而被破坏。在后续工艺中，具有亲水性的半导体层将不会因图案化亲水层的步骤而影响其排列。

    用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法
    6.
    发明授权
    用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN105895818B

    公开(公告)日：2017-12-19

    申请号：CN201610236054.7

    申请日：2016-04-15

    申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

    发明人： 郝鹏 ,  吕伯彦

    IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/56

    CPC分类号： H01L51/0004 ,  B41M5/00 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/56

    摘要： 本发明提供一种用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法，通过将凹槽结构设计成由第一堤坝围拢成的第一凹槽和由第二堤坝围拢成的第二凹槽的层叠结构，且所述第一凹槽与第二凹槽相互贯通且中心轴线相同，所述第二凹槽的开口最小处大于所述第一凹槽的开口最大处，所述第一堤坝围拢成第一凹槽的倾斜内周面为亲水性表面，所述第一堤坝的上表面、第二堤坝围拢成第二凹槽的倾斜内周面、以及第二堤坝的上表面均为疏水性表面，进而能够在不降低像素密度的前提下增加用于打印成膜的凹槽的开口大小，使得墨滴更容易滴入凹槽中，降低对打印设备精度的要求，降低高分辨率OLED显示面板的制作难度，提升产品竞争力。

    一种晶体均一型钙钛矿薄膜的制备方法
    7.
    发明公开
    一种晶体均一型钙钛矿薄膜的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN107359252A

    公开(公告)日：2017-11-17

    申请号：CN201710424348.7

    申请日：2017-06-07

    申请人： 常州市瑞泰物资有限公司

    发明人： 陈刚 ,  王艳芹

    IPC分类号： H01L51/48

    CPC分类号： Y02E10/549 ,  H01L51/0004 ,  H01L2251/30 ,  H01L2251/303

    摘要： 本发明涉及一种晶体均一型钙钛矿薄膜的制备方法，属于太阳能材料制备技术领域。本发明通过制备电解质溶胶中掺杂吸附有敏化染料的沸石，由于沸石孔隙中负载的高敏化染料，有效改性电解质材料中电荷复合速率高、电接触性差和电导率低等问题，同时由于电解质旋涂作为基底层，使卤化铅尽可能的渗透到介孔层的内部，成为钙钛矿膜电子传输层，使钙钛矿矿膜晶粒大小分布均匀且表面光滑，增强薄膜的光吸收能力，提高电荷传输能力，使电荷在钙钛矿薄膜中有效传输，抑制界面复合，减少电荷损失，实现对钙钛矿结晶和薄膜形貌的有效控制，提高太阳能电池使用效率，具有广阔的使用前景。

    狭槽式模具涂布方法、设备和基底
    8.
    发明授权
    狭槽式模具涂布方法、设备和基底 失效

    公开(公告)号：CN105358260B

    公开(公告)日：2017-11-10

    申请号：CN201480038194.2

    申请日：2014-05-02

    申请人： 荷兰应用自然科学研究组织TNO

    发明人： 萨宾娜·余丽安娜·伽贝尔 ,  伊格·赫尔格·德弗里斯

    IPC分类号： B05D1/26 ,  B05C5/02

    CPC分类号： H01L51/0004 ,  B05C5/0254 ,  B05C5/0258 ,  B05C11/1021 ,  B05D1/26 ,  B05D2252/02 ,  H01L51/42

    摘要： 公开了一种狭槽式模具涂布方法和设备，以及具有图案化涂布层的基底。方法包括控制涂布流体从狭槽式模具涂布头到基底表面上的间歇性传输，以通过上述间歇性传输来提供基底表面上的被未涂布区域分隔开的涂布区域。上述基底表面包括具有高表面能量区域和低表面能量区域的预图案化层；其中涂布流体在基底表面上的接触角在高表面能量区域中比在低表面能量区域中小。低表面能量区域和高表面能量区域之间的边界沿上述狭槽式模具涂布头的狭缝方向布置。上述方法进一步包括将间歇性传输与流出开口在低表面能量区域与高表面能量区域之间的边界上方的经过同步化，其中当上述流出开口经过高表面能量区域上方时上述传输被启用，并且其中当上述流出开口经过低表面能量区域上方时上述传输被禁用。