公开(公告)号：CN112351891B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201980042227.3

申请日：2019-05-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 水野裕 ,  尼子博久 ,  野本和正 ,  平井畅一 ,  石田武久

IPC: B41M5/28 ,  B41M5/40 ,  B41M5/42 ,  B41M5/44

Abstract: 根据本公开内容的实施方式的可逆记录介质包括：记录层，所述记录层包括作为着色化合物的无色颜料；和第一阻挡膜，所述第一阻挡膜设置在所述记录层的一个表面和侧面上，并且抑制水或氧气的至少一者的混合。

公开(公告)号：CN112351891A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201980042227.3

申请日：2019-05-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 水野裕 ,  尼子博久 ,  野本和正 ,  平井畅一 ,  石田武久

IPC: B41M5/28 ,  B41M5/40 ,  B41M5/42 ,  B41M5/44

Abstract: 根据本公开内容的实施方式的可逆记录介质包括：记录层，所述记录层包括作为着色化合物的无色颜料；和第一阻挡膜，所述第一阻挡膜设置在所述记录层的一个表面和侧面上，并且抑制水或氧气的至少一者的混合。

公开(公告)号：CN101867017B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010150255.8

申请日：2010-04-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 野本和正 ,  胜原真央 ,  汤本昭

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/102 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。用于制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极；在栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜；以及在设置有有机半导体层和电极膜的衬底上形成负型光刻胶膜，并且，通过将栅极电极用作遮光掩模从衬底一侧进行背表面曝光，并进行随后的显影处理，来形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。

公开(公告)号：CN101867017A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010150255.8

申请日：2010-04-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 野本和正 ,  胜原真央 ,  汤本昭

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/102 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。用于制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极；在栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜；以及在设置有有机半导体层和电极膜的衬底上形成负型光刻胶膜，并且，通过将栅极电极用作遮光掩模从衬底一侧进行背表面曝光，并进行随后的显影处理，来形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。