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公开(公告)号：CN118805452A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025203.3
申请日：2023-03-06
申请人： 索尼半导体解决方案公司
摘要： 根据本发明实施方案的光电转换元件设置有：平行设置的第一电极和第二电极；与所述第一电极和所述第二电极相对设置的第三电极；设置在所述第一电极和所述第二电极与所述第三电极之间的光电转换层；以及设置在所述第一电极和所述第二电极与所述光电转换层之间，并且包括从所述第一电极和第二电极一侧连续层叠的第一层和第二层的半导体层，所述第一层的厚度小于所述第二层的厚度并且为3nm以上且5nm以下。
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公开(公告)号：CN112424939B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70 , H04N25/76
摘要： 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN109360835B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201811381399.7
申请日：2014-09-05
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H10K39/32
摘要： 一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。
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公开(公告)号：CN116686097A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180081142.3
申请日：2021-12-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L31/0232
摘要： 本发明提供了一种功能增强的光电转换元件。光电转换元件包括：半导体基板；第一光电转换部，其设置在所述半导体基板上，检测并光电转换第一波长范围内的光；第二光电转换部，其设置在所述半导体基板内的在所述半导体基板的厚度方向上与第一光电转换部重叠的位置处，检测并光电转换第二波长范围内的光；滤光器，其在所述厚度方向上设置在所述第一光电转换部与所述第二光电转换部之间，并且所述第二波长范围内的光比所述第一波长范围内的光更容易通过所述滤光器；以及第一遮光部件，其沿着与所述厚度方向正交的平面包围所述滤光器以在沿着所述平面的平面方向上至少部分地与所述滤光器重叠，并至少对所述第二波长范围内的光进行遮光。
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公开(公告)号：CN112424939A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
摘要： 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN118648116A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020369.6
申请日：2023-02-02
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/02 , H04N25/70 , H10K30/60
摘要： 本公开一个实施方案的第一光电转换元件包括：并排布置的第一和第二电极；被布置为与第一及第二电极相对的第三电极；设置于第一及第二电极与第三电极之间的光电转换层；设置于第一及第二电极与光电转换层之间的氧化物半导体层；以及设置于光电转换层与氧化物半导体层之间的保护层。保护层包括含有作为共同元素的氧(O)、元素X及元素Y且从氧化物半导体层侧起依次层叠的第一层和第二层。当元素X和元素Y各者的组成比被定义为元素X和元素Y各者的原子数除以元素X和元素Y的合计原子数、第一层中的元素X和元素Y各者的组成比被称为Rx1和Ry1、且第二层中的元素X和元素Y各者的组成比被称为Rx2和Ry2时，第一层及第二层满足Rx1>Rx2≥0且0≤Ry1
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公开(公告)号：CN118511278A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202280087541.5
申请日：2022-12-27
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 定荣正大
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明的固态摄像装置包括：氧化物半导体层，其被布置于基板上方；光电转换层，其被层叠于所述氧化物半导体层的与所述基板相反的一侧上；和绝缘分离体，其在像素之间被布置于所述氧化物半导体层中，所述绝缘分离体包括绝缘体。
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公开(公告)号：CN112514072B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980048579.X
申请日：2019-06-20
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H10K39/32 , H01L31/10 , H04N25/70
摘要： 本发明的目的是提供一种能够进一步提高可靠性的固态摄像元件。提供了一种固态摄像元件，其从光入射侧起依次至少设置有第一光电转换部和形成有第二光电转换部的半导体基板。所述第一光电转换部至少按说明的顺序包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极。所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。
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公开(公告)号：CN112189259B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980032708.6
申请日：2019-05-10
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H10K39/32
摘要： 本发明的成像元件包括：第一电极11；与第一电极11隔开配置的电荷累积用电极14；与第一电极11接触并经由绝缘层形成在电荷累积用电极14上方的光电转换层13；和形成在光电转换层13上的第二电极12。所述绝缘层的位于电荷累积用电极14和光电转换层13之间的部分包括第一区域82a1和第二区域82a2，所述绝缘层的在第一区域82a1中的部分由第一绝缘层82A1形成，所述绝缘层的在第二区域82a2中的部分由第二绝缘层82A2形成，并且形成第二绝缘层82A2的材料的固定电荷的绝对值小于形成第一绝缘层82A1的材料的固定电荷的绝对值。
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公开(公告)号：CN109585478A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811381397.8
申请日：2014-09-05
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/44
摘要： 一种固态图像传感器，包括：半导体基板，其中为平面设置的多个像素的每一个设置用于将光转换成电荷的光电转换区域；有机光电转换膜，通过绝缘膜层叠在该半导体基板的光照射侧，并且形成在其中形成所述像素的区域；下电极，形成在该有机光电转换膜的半导体基板侧且与该有机光电转换膜接触；第一上电极，层叠在该有机光电转换膜的光照射侧，并且形成为在平面上看该固态图像传感器时使该第一上电极的端部与该有机光电转换膜的端部基本上一致；以及膜应力抑制体，用于抑制膜应力在该有机光电转换膜上的作用，该膜应力产生在该第一上电极上。
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