公开(公告)号：CN118575286A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202280089216.2

申请日：2022-12-28

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 江尻洋一 ,  熊谷隼人 ,  津川英信 ,  中邑良一 ,  田代睦聡 ,  藤崎裕太郎

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L27/146

摘要： 提供了一种具有高操作可靠性的半导体装置。光电检测装置(1)包括半导体基板(11)、光接收部(13)、倍增部(14)、第一电极(16)、第二电极(113X)和电阻器(51)。半导体基板(11)具有彼此面对的第一面(11S1)和第二面(11S2)，并且包括其中多个像素(P)在面内方向上以阵列状布置的像素阵列部(100A)。光接收部(13)针对每个像素(P)设置在半导体基板(11)内部，并且通过光电转换生成与接收到的光量相对应的载流子。倍增部(14)针对每个像素(P)设置在半导体基板(11)的第一面(11S1)上，具有第一导电类型区域(14Y)和第二导电类型区域(14X)的层叠结构，并且使在光接收部(13)中生成的载流子雪崩倍增。第一电极(16)电气联接到倍增部(14)。第二电极(113X)电气联接到光接收部(13)。电阻器(51)包含多晶半导体材料，并且被设置为在面对第一面(11S1)的同时与第一电极(16)接触。