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    固态成像元件和电子设备
    1.
    发明公开
    固态成像元件和电子设备 有权

    公开(公告)号：CN110050459A

    公开(公告)日：2019-07-23

    申请号：CN201780075206.2

    申请日：2017-11-30

    申请人： 索尼半导体解决方案公司

    发明人： 田代睦聡 ,  饭田聡子 ,  坂野赖人

    IPC分类号： H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  H04N5/355 ,  H04N5/374

    摘要： 本发明的公开涉及一种使得可以将光电转换的几乎所有电荷用于高电容时的信号的固态成像元件和电子设备。像素设置有在放大晶体管的漏极侧的用于选择读出行的选择晶体管，并且选择晶体管在复位晶体管复位后选择读出行。在低电容时的参考电位读出之前传输晶体管读出高电容时的参考电位。例如，本公开可以应用于层叠型固态成像元件。

    固态摄像装置
    3.
    发明公开
    固态摄像装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN116406478A

    公开(公告)日：2023-07-07

    申请号：CN202180074178.9

    申请日：2021-11-05

    申请人： 索尼半导体解决方案公司

    发明人： 越河英一郎 ,  田代睦聡

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： [问题]即使像素结构微细化，也能够扩大动态范围。[解决方案]固态摄像装置包括：第一半导体层，其具有第一导电型的第一化合物半导体材料；光电转换层，其配置在所述第一半导体层上；第二导电型的第二半导体层，其部分地配置在所述光电转换层上，并且配置成与所述光电转换层接触；以及元件分离层，其以像素为单位分离所述第一半导体层、所述光电转换层和所述第二半导体层，所述像素具有灵敏度和尺寸不同的多个子像素。

    光电检测装置和光电检测装置的制造方法
    4.
    发明公开
    光电检测装置和光电检测装置的制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118575286A

    公开(公告)日：2024-08-30

    申请号：CN202280089216.2

    申请日：2022-12-28

    申请人： 索尼半导体解决方案公司

    发明人： 江尻洋一 ,  熊谷隼人 ,  津川英信 ,  中邑良一 ,  田代睦聡 ,  藤崎裕太郎

    IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L27/146

    摘要： 提供了一种具有高操作可靠性的半导体装置。光电检测装置(1)包括半导体基板(11)、光接收部(13)、倍增部(14)、第一电极(16)、第二电极(113X)和电阻器(51)。半导体基板(11)具有彼此面对的第一面(11S1)和第二面(11S2)，并且包括其中多个像素(P)在面内方向上以阵列状布置的像素阵列部(100A)。光接收部(13)针对每个像素(P)设置在半导体基板(11)内部，并且通过光电转换生成与接收到的光量相对应的载流子。倍增部(14)针对每个像素(P)设置在半导体基板(11)的第一面(11S1)上，具有第一导电类型区域(14Y)和第二导电类型区域(14X)的层叠结构，并且使在光接收部(13)中生成的载流子雪崩倍增。第一电极(16)电气联接到倍增部(14)。第二电极(113X)电气联接到光接收部(13)。电阻器(51)包含多晶半导体材料，并且被设置为在面对第一面(11S1)的同时与第一电极(16)接触。

    固态成像元件和电子设备
    5.
    发明授权
    固态成像元件和电子设备 有权

    公开(公告)号：CN110050459B

    公开(公告)日：2022-02-18

    申请号：CN201780075206.2

    申请日：2017-11-30

    申请人： 索尼半导体解决方案公司

    发明人： 田代睦聡 ,  饭田聡子 ,  坂野赖人

    IPC分类号： H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  H04N5/355 ,  H04N5/374

    摘要： 本发明的公开涉及一种使得可以将光电转换的几乎所有电荷用于高电容时的信号的固态成像元件和电子设备。像素设置有在放大晶体管的漏极侧的用于选择读出行的选择晶体管，并且选择晶体管在复位晶体管复位后选择读出行。在低电容时的参考电位读出之前传输晶体管读出高电容时的参考电位。例如，本公开可以应用于层叠型固态成像元件。