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发明公开
半导体装置、光检测装置和电子设备审中-公开

公开(公告)号：CN118575277A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202380018036.X

申请日：2023-01-20

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 川原雄基 , 熊野秀臣

IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78 , H04N25/70

摘要： 本发明提供一种可以实现短沟道抑制和晶体管特性变化抑制这两者的半导体装置。所述半导体装置包括半导体基板和设置在所述半导体基板上的场效应晶体管。所述场效应晶体管包括：形成有沟道的扩散层区域；栅电极部，其覆盖所述扩散层区域的至少一部分，并且具有面向所述扩散层区域的侧面的侧壁部和面向所述扩散层区域的上面的顶板部；源极区域，其设置在所述扩散层区域中，并且连接到所述栅电极部的一侧；和漏极区域，其设置在所述扩散层区域中，并且连接到所述栅电极部的另一侧。在所述栅电极部中，所述侧壁部和所述顶板部具有自对准结构。所述源极区域和所述漏极区域通过将杂质倾斜地注入到所述栅电极部的侧壁部中以自对准的方式形成。