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公开(公告)号：CN114616822A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080063513.0
申请日：2020-07-27
申请人： 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC分类号： H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 减小了包括布置在半导体基板的后表面上的光电转换单元的摄像元件的暗电流。该摄像元件包括：光电转换单元、贯通电极、电荷保持单元、后面侧高杂质浓度区域以及前面侧高杂质浓度区域。光电转换单元被布置在半导体基板的后表面上并且对入射光进行光电转换。贯通电极形成从半导体基板的后表面贯穿到前表面的形状，并且传输通过光电转换产生的电荷。电荷保持单元被布置在半导体基板的前表面上，并且保持传输的电荷。后面侧高杂质浓度区域被布置在半导体基板的后表面上的与贯通电极相邻的区域中，并且形成为杂质浓度比与半导体基板的中央部的贯通电极相邻的区域的杂质浓度更高。前面侧高杂质浓度区域被布置在半导体基板的前表面上的与贯通电极相邻的区域中，并且形成为杂质浓度比与半导体基板的中央部的贯通电极相邻的区域的杂质浓度更高。
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公开(公告)号：CN113169205A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006865.2
申请日：2020-01-21
申请人： 索尼集团公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/374 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/369
摘要： 此固体成像元件(1)包括一个以上光电转换层(2)、贯穿电极(50)和连接焊盘(52)。一个以上光电转换层(2)设置在半导体基板(10)的作为光入射面的一个主表面侧。贯穿电极(50)设置在像素区域中，并且具有连接至所述光电转换层(2)的一端。所述贯穿电极(50)从顶部到底部穿透所述半导体基板(10)，并且将通过由所述光电转换层(2)进行的光电转换获得的电荷传输至所述半导体基板(10)的另一主表面侧。所述连接焊盘(52)设置在与设置于所述半导体基板(10)的所述另一主表面侧的晶体管(AMP、RST、TG1、TG2)的栅极(Ga、Gr、G1和G2)相同的层上，并且所述贯穿电极(50)的另一端连接至所述连接焊盘。
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公开(公告)号：CN116569332A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202280007855.X
申请日：2022-01-17
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 本发明降低了具有贯通电极的半导体装置中的热应力。该半导体装置设置有半导体基板、布线层、第一通孔和第一内贯通电极。在半导体装置中，布线层形成在半导体基板的上表面上。此外，在半导体装置中，第一通孔从半导体基板的背面延伸穿到半导体基板的上表面，并具有被绝缘膜覆盖的侧壁。此外，在半导体装置中，第一内贯通电极是沿着第一通孔的侧壁的一部分形成的。
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公开(公告)号：CN112385042A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980045788.9
申请日：2019-07-01
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/374 , H01L21/3205
摘要： 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。
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公开(公告)号：CN110088907B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780075694.7
申请日：2017-12-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H10K30/60 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及一种摄像器件，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体基板。光电转换单元位于所述半导体基板的第一侧。多层配线层位于所述半导体基板的第二侧。贯通电极在所述光电转换单元和所述多层配线层之间延伸。所述多层配线层包括局部配线层。所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。
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公开(公告)号：CN114556573A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071501.2
申请日：2020-09-15
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 本发明提高了图像传感器的感度。所述图像传感器包括多个像素和遮光壁。包括在所述图像传感器中的多个像素各自包括配置在半导体基板上并对照射的入射光执行光电转换的光电转换单元以及将入射光会聚到所述光电转换单元上的片上透镜。包括在所述图像传感器中的遮光壁在所述多个像素之间的边界处与所述半导体基板相邻配置并且被构造成使得所述遮光壁的入射光照射侧具有锥形截面以遮挡入射光。
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公开(公告)号：CN111712905A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201880089302.7
申请日：2018-12-28
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 重歳卓志
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146
摘要： 在形成用于布置贯通电极的过孔时防止对半导体装置的损坏。所述半导体装置包括柱形绝缘膜、前表面侧焊盘、导体层和后表面侧焊盘。所述柱形绝缘膜被构造为贯穿半导体基板的柱形形状。所述前表面侧焊盘被形成为在所述柱形绝缘膜内侧与所述半导体基板的前表面相邻。在去除与所述前表面侧焊盘相邻的所述柱形绝缘膜内侧的所述半导体基板之后，所述导体层被布置为与所述柱形绝缘膜的内侧和所述前表面侧焊盘相邻。所述后表面侧焊盘被布置在所述半导体基板的后表面上，并且经由所述导体层被连接至所述前表面侧焊盘。
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公开(公告)号：CN114846610A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202180007394.1
申请日：2021-02-15
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/14 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
摘要： 在本发明中，减小了配置在半导体基板的背面侧的配线的寄生电容。本发明的半导体装置具备：半导体基板；背面侧配线；贯通配线；和分离区域。在所述半导体基板的前面侧配置有：半导体元件；和连接到所述半导体元件的前面侧配线。所述背面侧配线配置在所述半导体基板的背面侧。所述贯通配线配置在形成于所述半导体基板中的通孔中，并且将所述前面侧配线和所述背面侧配线连接。所述分离区域配置在所述半导体基板和所述背面侧配线之间。
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公开(公告)号：CN112640108A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
申请人： 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/369
摘要： 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN110088907A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780075694.7
申请日：2017-12-14
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L51/42 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及一种摄像器件，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体基板。光电转换单元位于所述半导体基板的第一侧。多层配线层位于所述半导体基板的第二侧。贯通电极在所述光电转换单元和所述多层配线层之间延伸。所述多层配线层包括局部配线层。所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。
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