公开(公告)号：CN101728406B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910205100.7

申请日：2009-10-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 太田和伸 ,  平野智之

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明公开一种固态成像装置及其制造方法和成像设备。固态成像装置在半导体衬底上包括像素部分，其具有将入射光进行光电转换以获得信号电荷的光电转换部分；以及周边电路部分，其形成像素部分的周边。像素部分具有从光电转换部分读取信号电荷的竖直晶体管和对由竖直晶体管读取的信号电荷进行处理的平面晶体管。竖直晶体管具有：沟槽部分，其形成在半导体衬底上；栅极绝缘膜，其形成在沟槽部分的内表面上；导电层，其形成在沟槽部分内和沟槽部分的周围的半导体衬底上的栅极绝缘膜的表面上；填充层，其经由栅极绝缘膜和导电层填充沟槽部分的内部；以及电极层，其在填充层上连接到导电层。

公开(公告)号：CN101728406A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910205100.7

申请日：2009-10-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 太田和伸 ,  平野智之

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明公开一种固态成像装置及其制造方法和成像设备。固态成像装置在半导体衬底上包括像素部分，其具有将入射光进行光电转换以获得信号电荷的光电转换部分；以及周边电路部分，其形成像素部分的周边。像素部分具有从光电转换部分读取信号电荷的竖直晶体管和对由竖直晶体管读取的信号电荷进行处理的平面晶体管。竖直晶体管具有：沟槽部分，其形成在半导体衬底上；栅极绝缘膜，其形成在沟槽部分的内表面上；导电层，其形成在沟槽部分内和沟槽部分的周围的半导体衬底上的栅极绝缘膜的表面上；填充层，其经由栅极绝缘膜和导电层填充沟槽部分的内部；以及电极层，其在填充层上连接到导电层。