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公开(公告)号：CN102214671A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110156826.3
申请日：2009-02-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜；形成金属膜，使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜；以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理，从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物，所述氧化物用作所述负电荷累积层。本发明能够只在电荷生成部的检测面上方形成氧化物绝缘膜并使其用作负电荷累积层，因而抑制由界面态引起的暗电流分量。
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公开(公告)号：CN100485967C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610051497.5
申请日：2006-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/43 , H01L27/10 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28044 , H01L29/4916 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，其包括在半导体衬底的上侧具有栅电极的场效应晶体管，在所述半导体衬底和所述栅电极之间具有栅极绝缘膜，其中，至少所述栅电极的栅极绝缘膜一侧包括含有铪和硅的膜。
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公开(公告)号：CN101515567A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910006975.4
申请日：2009-02-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜；形成金属膜，使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜；以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理，从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物，所述氧化物用作所述负电荷累积层。本发明能够只在电荷生成部的检测面上方形成氧化物绝缘膜并使其用作负电荷累积层，因而抑制由界面态引起的暗电流分量。
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公开(公告)号：CN102214671B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110156826.3
申请日：2009-02-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜。本发明能够减小由界面态引起的暗电流。
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公开(公告)号：CN101515567B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910006975.4
申请日：2009-02-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜；形成金属膜，使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜；以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理，从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物，所述氧化物用作所述负电荷累积层。本发明能够只在电荷生成部的检测面上方形成氧化物绝缘膜并使其用作负电荷累积层，因而抑制由界面态引起的暗电流分量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101494229B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910001116.6
申请日：2009-01-22
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 平野智之
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种固体摄像器件，其包括：硅层，所述硅层具有形成于其中的光电二极管和形成在所述光电二极管的表面上的正电荷累积区域；以及光波导，其形成在所述光电二极管上方，用于将入射光引导至所述光电二极管中，其中，在所述光波导中形成有绝缘层，并且所述绝缘层具有5以上的介电常数和负固定电荷。本发明的固体摄像器件提供了足够的空穴累积效应(负偏压效应)，因此能抑制在具有光波导的固体摄像器件中由界面态引起的暗电流的产生。结果，能够提供可以稳定工作且不产生任何暗电流的非常可靠的固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN101728406B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910205100.7
申请日：2009-10-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14634 , H01L27/14689 , H01L29/66666
Abstract: 本发明公开一种固态成像装置及其制造方法和成像设备。固态成像装置在半导体衬底上包括像素部分，其具有将入射光进行光电转换以获得信号电荷的光电转换部分；以及周边电路部分，其形成像素部分的周边。像素部分具有从光电转换部分读取信号电荷的竖直晶体管和对由竖直晶体管读取的信号电荷进行处理的平面晶体管。竖直晶体管具有：沟槽部分，其形成在半导体衬底上；栅极绝缘膜，其形成在沟槽部分的内表面上；导电层，其形成在沟槽部分内和沟槽部分的周围的半导体衬底上的栅极绝缘膜的表面上；填充层，其经由栅极绝缘膜和导电层填充沟槽部分的内部；以及电极层，其在填充层上连接到导电层。
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公开(公告)号：CN101345244B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810133183.9
申请日：2008-07-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/82385 , H01L21/823425 , H01L21/823468 , H01L21/823475 , H01L21/823835 , H01L21/823857 , H01L21/823871 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其包括：在半导体基板上形成的第一组晶体管；以及在所述半导体基板上形成的第二组晶体管，所述第二组中每个晶体管的工作电压低于所述第一组中每个晶体管的工作电压；其中，所述第一组中的每个晶体管包括隔着第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层；所述第二组中的每个晶体管包括隔着第二栅绝缘膜在形成于所述半导体基板上面的绝缘膜中的栅形成用沟槽内形成的第二栅电极；并且，形成有保护膜，且所述保护膜仅在形成有所述第一组晶体管的第一区域中从而覆盖住所述第一组晶体管的每个第一栅电极上的所述硅化物层。
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公开(公告)号：CN101728406A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910205100.7
申请日：2009-10-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14634 , H01L27/14689 , H01L29/66666
Abstract: 本发明公开一种固态成像装置及其制造方法和成像设备。固态成像装置在半导体衬底上包括像素部分，其具有将入射光进行光电转换以获得信号电荷的光电转换部分；以及周边电路部分，其形成像素部分的周边。像素部分具有从光电转换部分读取信号电荷的竖直晶体管和对由竖直晶体管读取的信号电荷进行处理的平面晶体管。竖直晶体管具有：沟槽部分，其形成在半导体衬底上；栅极绝缘膜，其形成在沟槽部分的内表面上；导电层，其形成在沟槽部分内和沟槽部分的周围的半导体衬底上的栅极绝缘膜的表面上；填充层，其经由栅极绝缘膜和导电层填充沟槽部分的内部；以及电极层，其在填充层上连接到导电层。
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公开(公告)号：CN101494229A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910001116.6
申请日：2009-01-22
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 平野智之
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种固体摄像器件，其包括：硅层，所述硅层具有形成于其中的光电二极管和形成在所述光电二极管的表面上的正电荷累积区域；以及光波导，其形成在所述光电二极管上方，用于将入射光引导至所述光电二极管中，其中，在所述光波导中形成有绝缘层，并且所述绝缘层具有5以上的介电常数和负固定电荷。本发明的固体摄像器件提供了足够的空穴累积效应(负偏压效应)，因此能抑制在具有光波导的固体摄像器件中由界面态引起的暗电流的产生。结果，能够提供可以稳定工作且不产生任何暗电流的非常可靠的固体摄像器件。
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