公开(公告)号：CN104821319B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201410339815.2

申请日：2014-07-16

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 安泳洙

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  G11C16/14 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L29/42376 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C16/14 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/115 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

摘要： 一种半导体器件，包括：沟道层；栅绝缘层，其形成在所述沟道层的表面上；单元栅图案，其沿着所述栅绝缘层形成；以及电迁移(EM)图案，其形成在所述单元栅图案中，并且能够通过在所述单元栅图案和所述沟道层之间形成的电场来移动。

公开(公告)号：CN109148585A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810920140.9

申请日：2018-08-14

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 范让萱 ,  缪进征

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7831

摘要： 本发明公开了一种沟槽MOSFET，沟槽MOSFET由多个器件单元结构组成，沟槽栅的沟槽采用硬质掩膜层定义，在沟槽刻蚀之后通过对硬质掩膜层进行横向刻蚀能实现对沟槽之间的穿过源区的第一接触孔的自对准定义，第一接触孔的自对准定义是通过在沟槽中填充多晶硅之后进行以多晶硅栅为掩膜的硬质掩膜层和栅氧化层的刻蚀、以栅氧化层为掩膜的硅刻蚀和以栅氧化层为掩膜的自对准金属硅化物的形成来实现。本发明还公开了一种沟槽MOSFET的制造方法。本发明能在沟槽栅之间自对准定义出穿过源区的接触孔，能缩小器件的尺寸，增加沟道密度并降低导通电阻。

公开(公告)号：CN109087866A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810352474.0

申请日：2018-04-19

申请人： 北京工业大学

发明人： 胡冬青 ,  张鹤泷 ,  贾云鹏 ,  吴郁 ,  唐伯晗 ,  唐蕴

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L29/0684

摘要： 本发明一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法，在结衬底材料选定后、外延工艺实施前，先进行与p型岛光刻与硼注入，之后进行缓冲层外延和耐压层外延；后继工艺与常规功率MOSFET制备相同；p型岛注入窗口尺寸及硼注入剂量严格控制，保证器件导通态时处于单极模式情况下；同时在器件处于阻断态时，p型岛对缓冲层-衬底高低结附近电场有调节作用，改善高低结附近电场分布，提高器件单粒子烧毁阈值。

公开(公告)号：CN108807539A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810312715.9

申请日：2018-04-09

申请人： 万国半导体(开曼)股份有限公司

发明人： 雷燮光 ,  马督儿·博德 ,  潘继

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66666

摘要： 一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底，一个第二导电类型的本体区，一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，一个轻掺杂源极区和一个形成在本体区中的重掺杂源极区，以及一个延伸到本体区的源极接头形成在栅极沟槽附近的源极接触沟槽中。轻掺杂源极区延伸到本体区中比重掺杂源极区更深处。轻掺杂源极区在源极接触沟槽附近。镇流电阻器形成在轻掺杂源极区中，在重掺杂源极区和本体区之间，以及一个肖特基二极管形成在源极接头和轻掺杂源极区之间的接头处。

公开(公告)号：CN108807184A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810658937.6

申请日：2018-06-25

申请人： 张帅 ,  黄昕

发明人： 张帅 ,  黄昕

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明涉及一种具有超级结结构的场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。采用了该发明的具有超级结结构的场效应晶体管的制造方法，其在P柱槽的底部及侧边注入硼；再注入多晶硅；去除多余的多晶硅后高温退火，将硼扩散到所述的多晶硅内形成P柱，实现电荷平衡效果，由此代替传统的外延生长工艺，无需外延生长设备，简化生产工艺，降低生产成本，且本发明的实现方式简便，应用范围也相当广泛。

公开(公告)号：CN108431953A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680070960.2

申请日：2016-12-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： R·韦尼加尔拉 ,  金成东 ,  B·多里斯 ,  B·A·安德森

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11273 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696

摘要： 一种制造垂直场效应晶体管的方法，包括在衬底(100)中形成第一凹槽(170)；从第一凹槽(170)的第一底部表面(190)外延生长第一漏极(400)；从形成在衬底(100)中的第二凹槽(175)的第二底部表面(195)外延生长第二漏极(600)；在第一漏极(400)和第二漏极(600)上外延生长沟道材料(700)；在沟道材料(700)中形成沟槽(740)以在第一漏极(400)上形成一个或多个鳍状物沟道(750)以及在第二漏极(600)上形成一个或多个鳍状物沟道(750)，其中在第一漏极(400)上方的沟槽(740)延伸到第一漏极(400)的表面，并且在第二漏极(600)上方的沟槽(740)延伸至第二漏极(600)的表面；在一个或多个鳍状物沟道(750)中的每一个上形成栅极结构(1030)；以及在与第一漏极(400)和第二漏极(500)相关联的每个鳍状物沟道(750)上生长源极(1520，1540)。

公开(公告)号：CN108231688A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711191137.X

申请日：2017-11-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许然喆

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823487 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

摘要： 一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。

公开(公告)号：CN108206209A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711293416.7

申请日：2017-12-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 朴辰哲 ,  张太洙 ,  朴志焕 ,  张壹植 ,  柳承完 ,  权世仁 ,  申重皓 ,  咸大真

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： 一种用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成栅沟槽；在栅沟槽的底表面和侧壁之上形成栅电介质层；在栅电介质层之上形成第一功函数层；掺杂功函数调整元素以形成与栅沟槽的侧壁重叠的第二功函数层；形成部分填充栅沟槽的栅导电层；以及在栅沟槽的两侧上、半导体衬底的内部形成掺杂区。

公开(公告)号：CN104241523B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310552973.1

申请日：2013-11-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金锡基

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L21/467 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7838 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683 ,  Y10S438/90

摘要： 提供了一种3D半导体器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成包括公共源极节点的第一半导体层；在第一半导体层上形成晶体管区，其中，晶体管区包括与半导体衬底的表面大体平行的水平沟道区、和从水平沟道区向与半导体衬底的表面大体垂直的方向分支出的源极区和漏极区；处理第一半导体层以对应于源极区而定位公共源极节点；在源极区与漏极区之间的空间中形成栅极；在源极区和漏极区上形成加热电极；以及在暴露出的加热电极上形成电阻可变材料层。

公开(公告)号：CN105047713B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510136532.2

申请日：2015-03-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡腾群 ,  王立廷 ,  林正堂 ,  陈德芳 ,  彭治棠 ,  王建勋 ,  林宏达

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/105 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

摘要： 本发明提供了一种隧道场效应晶体管及其制造方法。隧道场效应晶体管包括漏极区、与漏极区具有相反的导电类型的源极区、设置在漏极区和源极区之间的沟道区、设置在沟道区周围的金属栅极层、以及设置在金属栅极层和沟道区之间的高k介电层。