公开(公告)号：CN1925133A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610121689.9

申请日：2006-08-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 河浪孝二 ,  田渕清隆

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：在形成于衬底上的层间绝缘膜上形成含铜导电层，使得其表面被暴露；在所述导电层的表面上利用主要由氢构成的还原气体进行热处理；在所述导电层的表面上利用还原气体进行等离子体处理，由此允许所述导电层的表面被还原且允许通过所述热处理而吸收的氢被释放；以及形成覆盖所述导电层的表面的抗氧化膜，使得在所述等离子体处理之后所述导电层的表面不被暴露于含氧气氛气体。

公开(公告)号：CN100490118C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200610121689.9

申请日：2006-08-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 河浪孝二 ,  田渕清隆

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：在形成于衬底上的层间绝缘膜上形成含铜导电层，使得其表面被暴露；在所述导电层的表面上利用主要由氢构成的还原气体进行热处理；在所述导电层的表面上利用还原气体进行等离子体处理，由此允许所述导电层的表面被还原且允许通过所述热处理而吸收的氢被释放；以及形成覆盖所述导电层的表面的抗氧化膜，使得在所述等离子体处理之后所述导电层的表面不被暴露于含氧气氛气体。