-
公开(公告)号：CN101471368A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810187316.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H04N5/225 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。
-
公开(公告)号：CN102184932A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110121438.1
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/361
Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。
-
公开(公告)号：CN101471368B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810187316.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/335 , H04N5/359 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。
-
公开(公告)号：CN101588506A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910141109.6
申请日：2009-05-22
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高彩色滤光片的加工精度、抑制混色等的固体摄像装置及其制造方法以及电子设备。该固体摄像装置具有：排列了具有光电转换元件的多个像素的摄像区域以及彩色滤光片，该彩色滤光片包括：第一颜色滤光片成分(2G)、周围被第一颜色滤光片成分(2G)包围并通过自对准而形成的第二颜色滤光片成分(2R)及周围被第一颜色滤光片成分(2G)包围并通过自对准而形成的第三颜色滤光片成分(2B)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925133A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121689.9
申请日：2006-08-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/02074 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：在形成于衬底上的层间绝缘膜上形成含铜导电层，使得其表面被暴露；在所述导电层的表面上利用主要由氢构成的还原气体进行热处理；在所述导电层的表面上利用还原气体进行等离子体处理，由此允许所述导电层的表面被还原且允许通过所述热处理而吸收的氢被释放；以及形成覆盖所述导电层的表面的抗氧化膜，使得在所述等离子体处理之后所述导电层的表面不被暴露于含氧气氛气体。
-
公开(公告)号：CN102184932B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110121438.1
申请日：2008-12-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/361
Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。
-
公开(公告)号：CN101588506B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910141109.6
申请日：2009-05-22
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高彩色滤光片的加工精度、抑制混色等的固体摄像装置及其制造方法以及电子设备。该固体摄像装置具有：排列了具有光电转换元件的多个像素的摄像区域以及彩色滤光片，该彩色滤光片包括：第一颜色滤光片成分(2G)、周围被第一颜色滤光片成分(2G)包围并通过自对准而形成的第二颜色滤光片成分(2R)及周围被第一颜色滤光片成分(2G)包围并通过自对准而形成的第三颜色滤光片成分(2B)。
-
公开(公告)号：CN102244086A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110189004.5
申请日：2009-05-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , G02B5/20 , G03F7/00
CPC classification number: H01L27/14625 , G02B5/201 , G02B5/223 , H01L27/14621 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种能够提高彩色滤光片的加工精度、抑制混色等的固体摄像装置及其制造方法以及电子设备。该固体摄像装置具有：排列了具有光电转换元件的多个像素的摄像区域以及彩色滤光片，该彩色滤光片包括：第一颜色滤光片成分(2G)、周围被第一颜色滤光片成分(2G)包围并通过自对准而形成的第二颜色滤光片成分(2R)及周围被第一颜色滤光片成分(2G)包围并通过自对准而形成的第三颜色滤光片成分(2B)。
-
公开(公告)号：CN100490118C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610121689.9
申请日：2006-08-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/02074 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：在形成于衬底上的层间绝缘膜上形成含铜导电层，使得其表面被暴露；在所述导电层的表面上利用主要由氢构成的还原气体进行热处理；在所述导电层的表面上利用还原气体进行等离子体处理，由此允许所述导电层的表面被还原且允许通过所述热处理而吸收的氢被释放；以及形成覆盖所述导电层的表面的抗氧化膜，使得在所述等离子体处理之后所述导电层的表面不被暴露于含氧气氛气体。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.021 seconds)
