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公开(公告)号：CN107743651A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201680034165.8
申请日：2016-05-26
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/48 , C23C16/36 , C23C16/04
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/045 , C23C16/36 , C23C16/482 , C23C16/56 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76831
摘要： 提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。
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公开(公告)号：CN107564819A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201611244674.1
申请日：2016-12-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/02354 , H01L21/28518 , H01L21/768 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/76897 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7851
摘要： 本发明实施例提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括提供了衬底，该衬底具有位于其上方的硬掩模层。图案化硬掩模层以暴露衬底。通过图案化的硬掩模层蚀刻衬底以形成从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。形成位于第一鳍元件和第二鳍元件之间的隔离部件，其中隔离部件在第一溶液中具有第一蚀刻速率。利用脉冲激光束实施激光退火工艺以照射隔离部件。基于隔离部件的高度调整脉冲激光束的脉冲持续时间。在实施激光退火工艺之后，隔离部件在第一溶液中具有比第一蚀刻速率更低的第二蚀刻速率。本发明实施例涉及半导体集成电路的制造方法。
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公开(公告)号：CN107342216A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710347032.2
申请日：2012-08-29
申请人： 诺发系统公司
发明人： 尚卡尔·斯娃米纳森 , 乔恩·亨利 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 基里斯·K·卡特提格 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 安德鲁·J·麦克罗
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/762 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76825 , C23C16/045 , C23C16/4401 , C23C16/4554 , C23C16/56 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76837 , H01L21/76898 , H01L29/66795
摘要： 本发明提供了等离子体活化保形电介质膜沉积。本发明提供了在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。
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公开(公告)号：CN107203099A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611222542.9
申请日：2016-12-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/76825 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76802 , H01L21/76829 , H01L21/76877 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2224/83 , G03F7/26 , H01L21/31058
摘要： 制造半导体器件的方法包括在介电层上方设置图案化掩模的步骤。介电层包括低温固化聚酰亚胺。该方法进一步包括通过图案化掩模将介电层的第一表面暴露于I线步进器内的I线波长，以及显影介电层以形成开口的步骤。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN103890910B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201280046487.6
申请日：2012-08-29
申请人： 诺发系统公司
发明人： 尚卡尔·斯娃米纳森 , 乔恩·亨利 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 基里斯·K·卡特提格 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 安德鲁·J·麦克罗
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76825 , C23C16/045 , C23C16/4401 , C23C16/4554 , C23C16/56 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76837 , H01L21/76898 , H01L29/66795
摘要： 在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。
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公开(公告)号：CN105390437A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510516169.7
申请日：2015-08-20
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 尼莉莎·苏·德雷格 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 , 迪伊奈斯·帕德希 , 德里克·B·王 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 乔治·安德鲁·安东内利 , 阿图尔·科利奇 , 赵烈 , 帕特里克·A·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76826 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L21/76835 , H01L21/76877
摘要： 本发明涉及选择性超低k孔密封的可流动电介质，公开的方法和设备的实现涉及到用可流动的电介质材料对多孔电介质膜进行孔密封。该方法涉及在一定的条件下将上面具有暴露的多孔电介质膜的衬底暴露于气相电介质前体，使得在多孔电介质材料的孔中选择性地沉积可流动电介质材料。在任何暴露的金属表面上没有沉积连续膜的情况下可用所沉积的可流动电介质材料填充孔。
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公开(公告)号：CN105006449A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510422692.3
申请日：2015-07-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/525
CPC分类号： H01L21/76825 , H01L23/5252 , H01L2221/1005
摘要： 本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构的制备方法，包括（1）完成第一金属间介质材料和下层金属材料淀积；（2）完成第一阻挡层材料淀积；（3）完成反熔丝介质材料淀积；（4）完成离子注入阻挡层涂覆；（5）完成离子注入阻挡层曝光、显影；（6）完成离子注入；（7）完成第二阻挡层材料淀积；（8）完成反熔丝介质层刻蚀；（9）完成下层金属层刻蚀；（10）完成第二金属间介质材料和上层金属材料淀积、刻蚀，形成MTM反熔丝单元结构。本发明采用离子注入工艺，使反熔丝介质层中易漏电的区域实现非晶化，提高反熔丝介质层击穿电压一致性，使得MTM反熔丝单元在相同的击穿电压下具有更小的漏电特性和编程一致性。
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公开(公告)号：CN104779197A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410105822.6
申请日：2014-03-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
摘要： 本发明公开了一种半导体器件金属化系统和方法。在一些实施例中，用于半导体器件的金属化系统包括：主机机架以及接近主机机架设置的多个模块。多个模块之一包括物理汽相沉积（PVD）模块，并且多个模块之一包括紫外光（UV）固化模块。
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公开(公告)号：CN104471688A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038399.6
申请日：2013-06-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3115 , H01L21/324
CPC分类号： C23C16/4405 , B05D3/066 , C23C14/00 , C23C16/56 , G02B1/00 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/76825
摘要： 本发明的实施例提供在紫外线(UV)处理腔室内固化超低k介电薄膜的方法。在一个实施例中，该方法包括：在沉积腔室中在基板上沉积超低k介电层，以及在UV处理腔室中使该沉积的超低k介电层进行UV固化工艺。该方法包括：通过使氧气和净化气体以约1:50000至约1:100的流动速率流入该UV处理腔室来稳定该UV处理腔室。在该掺氧净化气体流动时，使该基板曝露于UV辐射，以固化该沉积的超低k介电层。本发明掺氧净化固化工艺提供了替代路径来建立超低k介电材料的硅-氧网络，从而加速交联效率，而且不会明显影响该沉积的超低k介电材料的膜性质。
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公开(公告)号：CN102187277B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980140757.8
申请日：2009-10-15
申请人： 住友电木株式会社
IPC分类号： G03F7/023 , C09D5/00 , C09D7/12 , C09D177/12 , C09D179/04 , C09D179/08 , C09D201/00 , H01L21/312 , H01L21/3205 , H01L23/12 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76825 , C08G73/22 , C09D7/20 , C09D179/04 , C09D179/08 , G03F7/0048 , G03F7/0233 , G03F7/16 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/76831 , H01L21/76898
摘要： 本发明提供一种包含碱溶性树脂、光致产酸化合物和溶剂，并且粘度是0.5～200cP的喷涂用正型感光性树脂组合物。通过使用该正型感光性树脂组合物，可在具有高长宽比的孔的内面，形成均匀的涂膜。对所获得涂膜的规定区域进行曝光、显影而获得涂膜图案，将该涂膜图案作为绝缘膜或绝缘膜的图案形成用掩模使用，由此可抑制孔内部漏电流的产生，并且以良好的成品率形成贯通电极。
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