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公开(公告)号：CN1147921C
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN99124388.9
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0332 , H01S5/2077 , H01S5/32341
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
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公开(公告)号：CN1913263B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200610159248.8
申请日：2006-08-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/48247 , H01L2224/4917 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/405 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种低材料成本的容易组装的激光二极管。提供在衬底上具有激光器结构的第一发光器件，在衬底上具有激光器结构的第二发光器件，以及支撑基底。第一发光器件和第二发光器件以第一发光器件和第二发光器件的各个激光器结构彼此相对的方式依次叠层在支撑基底上，第一发光器件的衬底侧和第二发光器件的激光器结构侧电连接到支撑基底。
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公开(公告)号：CN100539331C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610153767.3
申请日：2006-09-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/024 , B82Y20/00 , H01L2224/48463 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/028 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1258094A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99124388.9
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0332 , H01S5/2077 , H01S5/32341
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物;金属和其上的氮化物;氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物;或第一金属,其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物;氧化物可以是SiO2,氮化物可以是TiN或SiN,由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO,金属可以是Ti或Pt。
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公开(公告)号：CN1933262A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610153767.3
申请日：2006-09-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/024 , B82Y20/00 , H01L2224/48463 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/028 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。
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公开(公告)号：CN1302519C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN03127864.7
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
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公开(公告)号：CN1913263A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610159248.8
申请日：2006-08-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/48247 , H01L2224/4917 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/405 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种低材料成本的容易组装的激光二极管。提供在衬底上具有激光器结构的第一发光器件，在衬底上具有激光器结构的第二发光器件，以及支撑基底。第一发光器件和第二发光器件以第一发光器件和第二发光器件的各个激光器结构彼此相对的方式依次叠层在支撑基底上，第一发光器件的衬底侧和第二发光器件的激光器结构侧电连接到支撑基底。
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公开(公告)号：CN1501444A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03127864.7
申请日：1999-11-26
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0332 , H01S5/2077 , H01S5/32341
Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III－V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
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