公开(公告)号：CN107076939B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580055952.6

申请日：2015-10-15

申请人： 思科技术公司

发明人： 史蒂芬·普福努尔 ,  马修·特拉韦尔索

IPC分类号： G02B6/42

CPC分类号： H04B10/503 ,  G02B6/4248 ,  G02B6/4281 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0228 ,  H04B10/516

摘要： 本文描述了一种光发射机(100)，其包括至少部分地平行于光信号路径(115)的RF信号路径(105)。在一个实施例中，限定RF信号路径的电传输元件(235)被设置在发出光信号的激光器(110)和容纳光发射机的封装的侧壁之间。虽然RF和光信号可能沿着光发射机内的不同平面传播，但是这两种信号都在光调制器(120)处被接收。通过使用RF信号，光调制器调制光信号(例如，连续波)以生成经调制的光信号。然后光调制器将经调制的信号输出到插座(130)，该插座(130)耦接到诸如光纤电缆之类的载光介质。

公开(公告)号：CN108008501A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711047106.7

申请日：2017-10-31

申请人： 住友电工光电子器件创新株式会社

发明人： 久保田秀一 ,  佐治祯基

IPC分类号： G02B6/43 ,  G02B6/32

CPC分类号： H04B10/506 ,  G02B6/00 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4246 ,  G02B6/43 ,  G02B27/283 ,  G02B27/30 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/06808 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4087 ,  G02B6/32

摘要： 本发明披露了一种多路光学设备。该光学设备包括数量与线路数对应的监测光电二极管(mPD)。mPD排列为阵列从而与各路的光轴相交。mPD具有排列在将两个拐角连接起来的对角线上的光敏感区域和电极。光敏感区域布置为与mPD的中央偏离。最外侧mPD布置为使得各个电极面向内。

公开(公告)号：CN107800430A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710711165.3

申请日：2017-08-18

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 牧义之 ,  珎道幸治

IPC分类号： H03L7/26

CPC分类号： H03L7/26 ,  G04F5/145 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/06804 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/183 ,  H03B17/00

摘要： 本发明提供原子振荡器和电子设备。原子振荡器的特征在于具备：原子室，其封入有碱金属；发光元件，其射出向所述原子室进行照射的光；受光元件，其对透过所述原子室的光进行检测；透光性的第1光学元件，其配置在所述原子室与所述发光元件之间；以及透光性的第2光学元件，其配置在所述第1光学元件与所述原子室之间，所述第1光学元件使来自所述发光元件的光朝向所述发光元件侧朝相对于所述光的光轴倾斜的第1方向进行反射，所述第2光学元件使来自所述发光元件的光朝向所述发光元件侧相对于所述光的光轴朝与所述第1方向不同的方向倾斜的第2方向进行反射。

公开(公告)号：CN106886086A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610952144.6

申请日：2009-10-21

申请人： 通快光子学公司

发明人： T·维特哈克 ,  U·邦纳 ,  V·C·内戈伊塔

IPC分类号： G02B19/00 ,  G02B27/09

CPC分类号： G02B27/0905 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/0977 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/094053 ,  H01S3/09415 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02423 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/405

摘要： 本发明公开一种激光系统(511)，包括用于分别生成第一激光束(523/2)和第二激光束(523/1)的第一源(519/2)和第二源(519/1)，以及包括第一交织激光镜(531/1)的镜结构(530/1，567)，该第一交织激光镜(531/1)具有配置为反射第一激光束(523/2)的高反射区域以及配置为透射第二激光束(523/1)的第一高透射区域。

公开(公告)号：CN106797104A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580055579.4

申请日：2015-10-08

申请人： 株式会社小糸制作所

发明人： 柴田裕一 ,  望月光之 ,  达川正士

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC分类号： H01S5/02476 ,  H01L23/045 ,  H01L23/3677 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02469 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供散热性提高的半导体激光装置。半导体激光装置(10)具有：底座(11)、在底座(11)的上表面安装的盖(12)、半导体激光元件(13)、至少一部分埋设在底座(11)中的供电部件(14)。供电部件(14)具有：与半导体激光元件(13)电连接的元件侧端子(32)、外部端子(33)。供电部件(14)的外部端子(33)从底座(11)的侧面或上表面露出，在底座(11)的下表面设置有用于安装到搭载对象的安装面(11b)。

公开(公告)号：CN105600739A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510659811.7

申请日：2015-10-14

申请人： 英特尔公司

发明人： Z.李 ,  Q.谭 ,  Q.于

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC分类号： H01S5/02476 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02484 ,  H01L2924/00014 ,  B81B7/0093 ,  B81B7/02

摘要： 本发明涉及从光子器件的热移除。本描述的实施例涉及用于使热量通过微电子衬底从光子器件传递到热耗散器件的机构。在一个实施例中，微电子衬底可包括高导热介质材料。在另一实施例中，微电子衬底可包括在微电子衬底内的传导插入物，其中光子器件与接近微电子衬底的一个表面的传导插入物热接触，以及热耗散器件与接近微电子衬底的相对表面的传导插入物热接触。在又另一实施例中，具有基底部分和基架部分的阶梯式散热器具有穿过微电子衬底插入的基架部分，其中光子器件与接近微电子衬底的一个表面的基架部分热接触，且热耗散器件与基底部分热接触。

公开(公告)号：CN103003965B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180035056.5

申请日：2011-06-27

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 托马斯·蔡勒 ,  孔赖山

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01S5/022 ,  H01L31/0203 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/564 ,  H01L24/48 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02276 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提出一种用于半导体芯片（3）的承载装置，所述承载装置具有可键合的和/或可焊接的金属载体（1），所述金属载体具有用于半导体芯片（3）的装配区域（21）和焊接区域（20），其中载体（1）至少部分地由覆盖材料（2）覆盖，并且其中，在焊接区域（20）和装配区域（21）之间，在载体（1）和覆盖材料（2）之间的分界面（10）上设置有焊剂阻挡部（4）。通过焊剂阻挡部（4）能够减少或甚至完全阻止焊剂沿着分界面（10）从焊接区域（20）蠕流到装配区域（21）。此外，提出一种电子器件和一种光电子器件。

公开(公告)号：CN105164872A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480022733.3

申请日：2014-02-28

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： L·钟 ,  E·C·盖奇

IPC分类号： H01S5/022 ,  G11B5/02

CPC分类号： H01S5/02252 ,  G11B5/105 ,  G11B2005/0021 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276

摘要： 根据一个实施例，披露了一种装置，该装置包括：操作用于与激光器集成作为激光器基台组件的基台，所述基台的预定部分被配置成与激光器结合；结合盘，其位于基台的预定部分上以使激光器与基台集成。

公开(公告)号：CN105144511A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022240.X

申请日：2014-03-12

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： S·E·奥尔森

IPC分类号： H01S5/40 ,  H01S5/026

CPC分类号： H01S5/0021 ,  G11B5/105 ,  G11B2005/0021 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425

摘要： 一种激光二极管包括衬底和布置在衬底上的结层。结层形成激光二极管的量子阱。激光二极管包括结表面，该结表面具有延伸通过结层至衬底的至少一个沟道。所述至少一个沟道界定阳极区和阴极区。阴极电结被布置在阴极区的结表面上，而阳极电结被布置在结表面上并耦合至阳极区的结层。阴极金属层被布置在沟道的至少沟槽区内。阴极金属层将衬底耦合至阴极电结。

公开(公告)号：CN102687050B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180005207.2

申请日：2011-01-06

申请人： 株式会社藤仓

发明人： 木村直树 ,  泷平将人

IPC分类号： G02B6/42 ,  H01S5/022

CPC分类号： H01S5/02284 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/422 ,  G02B6/4239 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明的光耦合结构具备：光半导体元件，在其上表面具有发光受光部，且在下表面侧被安装于基板；光传输路，其具有以规定的角度与所述光半导体元件的光轴交叉的光轴，且与所述基板的安装面分离配置；以及光耦合部，其变换所述光半导体元件与所述光传输路之间的光路，且将所述光半导体元件与所述光传输路之间光学地耦合。所述光耦合部由相对于传输的光透明的树脂构成，所述树脂分别紧贴所述光半导体元件的发光受光部的至少一部分以及所述光传输路的端部的至少一部分，所述光半导体元件与所述光传输路通过构成所述光耦合部的所述树脂本身被粘接。