公开(公告)号：CN102709225B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210022444.6

申请日：2012-02-01

申请人： 索泰克公司

发明人： 尼古拉斯·达瓦尔 ,  比什-因·阮 ,  塞西尔·奥尔奈特 ,  康斯坦丁·布德尔

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684

摘要： 一种形成绝缘体上III/V族上锗结构的方法。本发明涉及形成绝缘体上半导体结构(10)的方法，所述绝缘体上半导体结构(10)包括III/V族材料的半导体层(3)，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)在施主基板(1)上生长松弛锗层(2)；(b)在锗层(2)上生长至少一个III/V族材料层(3)；(c)在松弛锗层(2)中形成解理面(6)；(d)将施主基板(1)的解理部分转移到支撑基板(4)，该解理部分是施主基板(1)在解理面(6)处解理的、包括至少一个III/V族材料层(3)的部分。本发明还涉及绝缘体上III/V族上锗结构、NFET晶体管、制造NFET晶体管的方法、PFET晶体管和制造PFET晶体管的方法。

公开(公告)号：CN102709225A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210022444.6

申请日：2012-02-01

申请人： 索泰克公司

发明人： 尼古拉斯·达瓦尔 ,  比什-因·阮 ,  塞西尔·奥尔奈特 ,  康斯坦丁·布德尔

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684

摘要： 一种形成绝缘体上III/V族上锗结构的方法。本发明涉及形成绝缘体上半导体结构(10)的方法，所述绝缘体上半导体结构(10)包括III/V族材料的半导体层(3)，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)在施主基板(1)上生长松弛锗层(2)；(b)在锗层(2)上生长至少一个III/V族材料层(3)；(c)在松弛锗层(2)中形成解理面(6)；(d)将施主基板(1)的解理部分转移到支撑基板(4)，该解理部分是施主基板(1)在解理面(6)处解理的、包括至少一个III/V族材料层(3)的部分。本发明还涉及绝缘体上III/V族上锗结构、NFET晶体管、制造NFET晶体管的方法、PFET晶体管和制造PFET晶体管的方法。

公开(公告)号：CN108604537A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780009189.2

申请日：2017-02-01

申请人： 索泰克公司

发明人： 塞西尔·奥尔奈特 ,  F·迪姆罗特 ,  E·奥里瓦

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0304

摘要： 一种加工基板，该加工基板包括：晶种层，该晶种层由用于生长太阳能电池的第一半导体材料制成；支撑基板，该支撑基板包括基底和在基底的第一侧上外延生长的表面层，基底和表面层由第二半导体材料制成；直接键合界面，该直接键合界面在晶种层与表面层之间；其中，表面层的掺杂浓度高于预定值，使得直接键合界面处的电阻率低于10毫欧·cm2，优选地低于1毫欧·cm2；并且其中，基底的掺杂浓度以及加工基板的厚度使得加工基板的吸收率小于20％，优选地小于10％，并且加工基板的总面积归一化串联电阻小于10毫欧·cm2，优选地小于5毫欧·cm2。