公开(公告)号：CN106257641B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201610412569.8

申请日：2016-06-14

申请人： 索泰克公司

发明人： 比什-因·阮 ,  弗雷德里克·阿利伯特 ,  克里斯托夫·马勒维尔

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

摘要： 高电阻率绝缘体上半导体衬底及其制造方法和半导体器件。本发明涉及一种用于制造高电阻率绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)在高电阻率衬底1上方形成介电层2和半导体层3，使得介电层2被设置在高电阻率衬底1与半导体层3之间；b)在半导体层3上方形成硬掩膜或抗蚀剂4，其中，硬掩膜或抗蚀剂4在预定位置处具有至少一个开口5；c)通过硬掩膜或抗蚀剂4的所述至少一个开口5、半导体层3和介电层2经由杂质元素的离子注入在高电阻率衬底1中形成至少一个掺杂区域7；d)去除硬掩膜或抗蚀剂4；以及e)在半导体层3中和/或半导体层3上形成射频RF电路，该射频RF电路与高电阻率衬底1中的至少一个掺杂区域(7)至少部分交叠。

公开(公告)号：CN106257641A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610412569.8

申请日：2016-06-14

申请人： 索泰克公司

发明人： 比什-因·阮 ,  弗雷德里克·阿利伯特 ,  克里斯托夫·马勒维尔

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L27/12

摘要： 本发明涉及一种用于制造高电阻率绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)在高电阻率衬底1上方形成介电层2和半导体层3，使得介电层2被设置在高电阻率衬底1与半导体层3之间；b)在半导体层3上方形成硬掩膜或抗蚀剂4，其中，硬掩膜或抗蚀剂4在预定位置处具有至少一个开口5；c)通过硬掩膜或抗蚀剂4的所述至少一个开口5、半导体层3和介电层2经由杂质元素的离子注入在高电阻率衬底1中形成至少一个掺杂区域7；d)去除硬掩膜或抗蚀剂4；以及e)在半导体层3中和/或半导体层3上形成射频RF电路，该射频RF电路与高电阻率衬底1中的至少一个掺杂区域(7)至少部分交叠。