公开(公告)号：CN113196461B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201980082744.3

申请日：2019-12-19

申请人： 索泰克公司

发明人： K·扬·皮尔 ,  克里斯泰勒·维蒂佐

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层(3)之间的碳化硅SiC层(5)，该层的厚度为1nm至5nm，所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层(3)一侧的表面(6)是粗糙的。

公开(公告)号：CN113196461A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082744.3

申请日：2019-12-19

申请人： 索泰克公司

发明人： K·扬·皮尔 ,  克里斯泰勒·维蒂佐

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层(3)之间的碳化硅SiC层(5)，该层的厚度为1nm至5nm，所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层(3)一侧的表面(6)是粗糙的。