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公开(公告)号：CN112236853A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201880094399.0
申请日：2018-07-05
申请人： 索泰克公司
发明人： 克里斯泰勒·维蒂佐 , 帕特里克·雷诺 , O·科农丘克 , 佛雷德里克·阿利伯特
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/322
摘要： 本发明涉及一种应用于射频电子和微电子领域的衬底(1)，其包括：基础衬底(3)；位于所述基础衬底(3)上并与其直接接触的单一碳层(2)，所述碳层(2)具有严格在1nm到5nm范围的厚度；位于所述碳层(2)上的绝缘体层(4)；位于所述绝缘体层(4)上的器件层(5)。本发明还涉及一种用于制造所述衬底的方法。
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公开(公告)号：CN113196461B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201980082744.3
申请日：2019-12-19
申请人： 索泰克公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/322
摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层(3)之间的碳化硅SiC层(5)，该层的厚度为1nm至5nm，所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层(3)一侧的表面(6)是粗糙的。
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公开(公告)号：CN111837247A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980018383.6
申请日：2019-03-13
申请人： 索泰克公司
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特 , 克里斯泰勒·维蒂佐
IPC分类号： H01L41/43 , H01L41/08 , H01L41/319 , H03H3/007 , H03H9/72
摘要： 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(10)，所述混合结构(10)包括：压电材料的有用层(1)，该有用层(1)被连结至具有比有用层(1)低的热膨胀系数的支撑基板(2)；以及中间层(3)，该中间层(3)被布置在有用层(1)与支撑基板(2)之间。中间层是由至少第一材料和第二材料的粉末形成的烧结复合层(3)，该第二材料与该第一材料不同。
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公开(公告)号：CN109155276A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780013336.3
申请日：2017-02-23
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，该支撑件在基础衬底(3)上包括电荷俘获层(2)。俘获层(2)由多晶主层(2a)和插在主层(2a)内或主层(2a)与基础衬底(3)之间的至少一个中间多晶层(2b)构成，所述至少一个中间多晶层由硅碳合金或碳组成，中间层(2b)的电阻率高于1000ohm.cm。
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公开(公告)号：CN111868914B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980019354.1
申请日：2019-03-13
申请人： 索泰克公司
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特 , 克里斯泰勒·维蒂佐 , D·拉迪森
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本发明涉及一种用于射频微电子器件的衬底，该衬底包括由半导体制成的载体衬底，其特征在于，该衬底包括置于载体衬底上并由至少第一电介质和不同于第一电介质的第二电介质的粉末形成的烧结复合层，所述烧结复合层具有大于5微米的厚度和与载体衬底的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数，为±30％以内。
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公开(公告)号：CN111868914A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980019354.1
申请日：2019-03-13
申请人： 索泰克公司
发明人： 佛雷德里克·阿利伯特 , 克里斯泰勒·维蒂佐 , D·拉迪森
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本发明涉及一种用于射频微电子器件的衬底，该衬底包括由半导体制成的载体衬底，其特征在于，该衬底包括置于载体衬底上并由至少第一电介质和不同于第一电介质的第二电介质的粉末形成的烧结复合层，所述烧结复合层具有大于5微米的厚度和与载体衬底的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数，为±30％以内。
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公开(公告)号：CN110199375A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007067.4
申请日：2018-01-11
申请人： 索泰克公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/762
摘要： 本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，所述支撑件(1)包括：基础衬底(3)；第一二氧化硅绝缘层(2a)，所述第一二氧化硅绝缘层(2a)被设置在所述基础衬底(3)上并且厚度大于20nm；以及电荷俘获层(2)，所述电荷俘获层(2)具有高于1000ohm.cm的电阻率以及大于5微米的厚度，并且被设置在所述第一绝缘层(2a)上。
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公开(公告)号：CN112236853B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201880094399.0
申请日：2018-07-05
申请人： 索泰克公司
发明人： 克里斯泰勒·维蒂佐 , 帕特里克·雷诺 , O·科农丘克 , 佛雷德里克·阿利伯特
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/322
摘要： 本发明涉及一种应用于射频电子和微电子领域的衬底(1)，其包括：基础衬底(3)；位于所述基础衬底(3)上并与其直接接触的单一碳层(2)，所述碳层(2)具有严格在1nm到5nm范围的厚度；位于所述碳层(2)上的绝缘体层(4)；位于所述绝缘体层(4)上的器件层(5)。本发明还涉及一种用于制造所述衬底的方法。
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公开(公告)号：CN109155276B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201780013336.3
申请日：2017-02-23
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，该支撑件在基础衬底(3)上包括电荷俘获层(2)。俘获层(2)由多晶主层(2a)和插在主层(2a)内或主层(2a)与基础衬底(3)之间的至少一个中间多晶层(2b)构成，所述至少一个中间多晶层由硅碳合金或碳组成，中间层(2b)的电阻率高于1000ohm.cm。
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公开(公告)号：CN113196461A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980082744.3
申请日：2019-12-19
申请人： 索泰克公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/322
摘要： 本发明涉及一种用于射频应用的绝缘体上半导体衬底(1)，其包括：‑硅载体衬底(2)，‑布置在所述载体衬底上的电绝缘层(3)，‑布置在所述电绝缘层上的单晶层(4)，所述衬底(1)的主要特征在于，其还包括布置在所述载体衬底(2)和所述电绝缘层(3)之间的碳化硅SiC层(5)，该层的厚度为1nm至5nm，所述碳化硅SiC层的在所述电绝缘层(3)一侧的表面(6)是粗糙的。
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