公开(公告)号：CN109564891A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049093.9

申请日：2017-08-01

申请人： 索泰克公司 ,  法国原子能和替代能源委员会

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  O·科农丘克 ,  F·马赞 ,  D·马西 ,  S·勒博 ,  F·里厄托尔

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1)的所述表面上以便形成待破裂组件(5)；脆化热处理所述待破裂组件(5)；引发破裂波并沿着所述脆化平面(3)将其传播到所述第一衬底(1)中。根据本发明，所述破裂波是在所述脆化平面(2)的中心区域中引发的，并且该波的传播速度被控制为具有足够的速度。因此，所述破裂波与在其引发和/或传播期间发出的声振动的相互作用被限制到所述有用层(3)的周边区域。

公开(公告)号：CN105023876A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510177940.2

申请日：2015-04-15

申请人： 索泰克公司 ,  原子能和替代能源委员会

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  奥列格·科农丘克 ,  N·本穆罕默德 ,  D·马西 ,  F·马赞 ,  F·里厄托尔

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

摘要： 本发明涉及一种转移有用层的方法，具体涉及将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，所述方法包括以下主要步骤：-以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之间形成有用层(3)的方式，通过在第一基板(1)中植入轻物质而形成脆化面(2)；-将支撑体(4)施加到第一基板(1)的表面上，以形成待断裂组件(5)，所述组件具有两个暴露侧(S1,S2)；-对所述待断裂的组件(5)进行热脆化处理；-沿着脆化面(2)在所述第一基板(1)中引发破裂波并且其自身维持传播。所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)中的至少一侧在接触区上方与吸收元件(6a,6b)紧密接触，所述吸收元件(6a,6b)适于捕获和耗散在破裂波的引发和/或传播过程中发出的声振动。

公开(公告)号：CN109564891B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201780049093.9

申请日：2017-08-01

申请人： 索泰克公司 ,  法国原子能和替代能源委员会

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  O·科农丘克 ,  F·马赞 ,  D·马西 ,  S·勒博 ,  F·里厄托尔

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1)的所述表面上以便形成待破裂组件(5)；脆化热处理所述待破裂组件(5)；引发破裂波并沿着所述脆化平面(3)将其传播到所述第一衬底(1)中。根据本发明，所述破裂波是在所述脆化平面(2)的中心区域中引发的，并且该波的传播速度被控制为具有足够的速度。因此，所述破裂波与在其引发和/或传播期间发出的声振动的相互作用被限制到所述有用层(3)的周边区域。

公开(公告)号：CN105023876B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201510177940.2

申请日：2015-04-15

申请人： 索泰克公司 ,  原子能和替代能源委员会

发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  奥列格·科农丘克 ,  N·本穆罕默德 ,  D·马西 ,  F·马赞 ,  F·里厄托尔

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明涉及一种转移有用层的方法，具体涉及将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，所述方法包括以下主要步骤：‑以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之间形成有用层(3)的方式，通过在第一基板(1)中植入轻物质而形成脆化面(2)；‑将支撑体(4)施加到第一基板(1)的表面上，以形成待断裂组件(5)，所述组件具有两个暴露侧(S1,S2)；‑对所述待断裂的组件(5)进行热脆化处理；‑沿着脆化面(2)在所述第一基板(1)中引发破裂波并且其自身维持传播。所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)中的至少一侧在接触区上方与吸收元件(6a,6b)紧密接触，所述吸收元件(6a,6b)适于捕获和耗散在破裂波的引发和/或传播过程中发出的声振动。

公开(公告)号：CN114930516A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008062.5

申请日：2021-01-07

申请人： 索泰克公司

发明人： A·戈贝尔 ,  F·阿利伯特 ,  D·马西 ,  I·伯特兰 ,  L·诺里

IPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/02 ,  H01L21/32 ,  H01L21/22

摘要： 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构(10)的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供FD‑SOI衬底(1)，FD‑SOI衬底(1)从其底部到其顶部依次包括：单晶衬底(2)，单晶衬底(2)具有在500Ω.cm和30kΩ.cm之间的电阻率，在20旧ppma和40旧ppma之间的间隙氧含量(Oi)，并且具有N型掺杂或P型掺杂；电绝缘层(3)，电绝缘层(3)的厚度在20nm和400nm之间；单晶层(4)，其具有P型掺杂；‑在大于或等于1175℃的温度下对FD‑SOI衬底(1)热处理大于或等于1小时的时间，以在衬底中形成P‑N结(5)。本发明还涉及这种绝缘体上半导体结构。