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    用于转移有用层的方法
    1.
    发明公开
    用于转移有用层的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN109564891A

    公开(公告)日：2019-04-02

    申请号：CN201780049093.9

    申请日：2017-08-01

    申请人： 索泰克公司 ,  法国原子能和替代能源委员会

    发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  O·科农丘克 ,  F·马赞 ,  D·马西 ,  S·勒博 ,  F·里厄托尔

    IPC分类号： H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76254

    摘要： 本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1)的所述表面上以便形成待破裂组件(5)；脆化热处理所述待破裂组件(5)；引发破裂波并沿着所述脆化平面(3)将其传播到所述第一衬底(1)中。根据本发明，所述破裂波是在所述脆化平面(2)的中心区域中引发的，并且该波的传播速度被控制为具有足够的速度。因此，所述破裂波与在其引发和/或传播期间发出的声振动的相互作用被限制到所述有用层(3)的周边区域。

    用于转移有用层的方法
    2.
    发明授权
    用于转移有用层的方法 有权

    公开(公告)号：CN109564891B

    公开(公告)日：2023-08-29

    申请号：CN201780049093.9

    申请日：2017-08-01

    申请人： 索泰克公司 ,  法国原子能和替代能源委员会

    发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  O·科农丘克 ,  F·马赞 ,  D·马西 ,  S·勒博 ,  F·里厄托尔

    IPC分类号： H01L21/762

    摘要： 本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1)的所述表面上以便形成待破裂组件(5)；脆化热处理所述待破裂组件(5)；引发破裂波并沿着所述脆化平面(3)将其传播到所述第一衬底(1)中。根据本发明，所述破裂波是在所述脆化平面(2)的中心区域中引发的，并且该波的传播速度被控制为具有足够的速度。因此，所述破裂波与在其引发和/或传播期间发出的声振动的相互作用被限制到所述有用层(3)的周边区域。

    可分离结构及使用所述结构的分离方法
    3.
    发明授权
    可分离结构及使用所述结构的分离方法 有权

    公开(公告)号：CN111630653B

    公开(公告)日：2024-05-14

    申请号：CN201980009405.2

    申请日：2019-01-14

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  R·格林 ,  N·克伦贝特

    IPC分类号： H01L21/762

    摘要： 本发明涉及一种可分离结构(100)，所述可分离结构(100)包括载体衬底(10)和在第一界面(1)处位于所述衬底(10)上的硅氧化物层(20)。所述可分离结构(100)的特征在于：所述氧化物层(20)的厚度小于200nm；轻氢和/或氦物质(30)根据注入分布曲线(31)深入分布在所述结构(100)的整个区域上，所述注入分布曲线(31)的最大浓度位于所述氧化物层(20)的厚度中；相对于所述氧化物层(20)的厚度，注入的轻物质(30)的总剂量至少超过这些轻物质(30)在所述氧化物层(20)中的溶解度极限的五倍。

    用于确定供体基板中的合适注入能量的方法和用于制造绝缘体上半导体结构的工艺
    6.
    发明授权
    用于确定供体基板中的合适注入能量的方法和用于制造绝缘体上半导体结构的工艺 有权

    公开(公告)号：CN108701627B

    公开(公告)日：2023-08-15

    申请号：CN201780014686.1

    申请日：2017-03-02

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 卢多维克·埃卡尔诺 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  卡里纳·杜雷特

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/762

    摘要： 本发明涉及一种用于确定供体基板(30)中的至少两种原子物质的合适注入能量以形成限定待转移到受体基板(10)上的单晶半导体层(32)的弱化区(31)的方法，包括以下步骤：(i)在供体基板(30)和受体基板(10)中的至少一个上形成介电层；(ii)将物质共同注入供体基板(30)中；(iii)将供体基板(30)结合在受体基板(10)上；(iv)沿着弱化区(31)分离供体基板(30)，以转移单晶半导体层(32)并且回收供体基板的剩余部分(34)；(v)检查供体基板的剩余部分(34)的或者在步骤(iv)转移了单晶半导体层(32)的受体基板(10)的周边环部；(vi)如果环部展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量太高；(vii)如果环部未展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量合适。

    改进的用于衬底的脆化的注入的方法
    8.
    发明授权
    改进的用于衬底的脆化的注入的方法 有权

    公开(公告)号：CN104205300B

    公开(公告)日：2017-11-14

    申请号：CN201380015733.6

    申请日：2013-03-14

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 纳迪娅·本默罕默德 ,  C·大卫 ,  C·里加尔

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259

    摘要： 本发明涉及一种用于将离子或原子核素注入到由半导体材料制成的一批衬底中的方法，其中：‑由半导体材料制成的各个衬底被定位于批处理注入机的相应支架上，各个衬底包括在其表面上的电绝缘体的薄层，以及‑一剂至少一个离子或原子核素通过所述衬底的绝缘体层注入至所述衬底的整个表面之上，以在各个衬底内形成脆化区，并且以在脆化区结合在绝缘体的所述薄层与所述衬底的所述脆化区之间的半导体材料的薄层，所述注入方法其特征在于，在所述方法期间，衬底被定位于其上的各个支架相对于与所述核素的注入的方向正交的平面具有至少两个单独的倾角，以便于改进所述核素在所述衬底中的注入深度。本发明还涉及通过所述注入方法的实施方式所获得的绝缘体上半导体型的结构。

    改进的用于衬底的脆化的注入的方法
    9.
    发明公开
    改进的用于衬底的脆化的注入的方法 有权

    公开(公告)号：CN104205300A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201380015733.6

    申请日：2013-03-14

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 纳迪娅·本默罕默德 ,  C·大卫 ,  C·里加尔

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259

    摘要： 本发明涉及一种用于将离子或原子核素注入到由半导体材料制成的一批衬底中的方法，其中：-由半导体材料制成的各个衬底被定位于批处理注入机的相应支架上，各个衬底包括在其表面上的电绝缘体的薄层，以及-一剂至少一个离子或原子核素通过所述衬底的绝缘体层注入至所述衬底的整个表面之上，以在各个衬底内形成脆化区，并且以在脆化区结合在绝缘体的所述薄层与所述衬底的所述脆化区之间的半导体材料的薄层，所述注入方法其特征在于，在所述方法期间，衬底被定位于其上的各个支架相对于与所述核素的注入的方向正交的平面具有至少两个单独的倾角，以便于改进所述核素在所述衬底中的注入深度。本发明还涉及通过所述注入方法的实施方式所获得的绝缘体上半导体型的结构。

    将有用层转移到载体衬底的方法
    10.
    发明授权
    将有用层转移到载体衬底的方法 有权

    公开(公告)号：CN113491004B

    公开(公告)日：2024-09-13

    申请号：CN202080016748.4

    申请日：2020-02-26

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 迪迪埃·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  纳迪娅·本默罕默德 ,  F·科拉斯

    IPC分类号： H01L21/762

    摘要： 本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以对接合结构施加弱化热预算并且使埋置弱化面达到限定的弱化程度，所述退火达到最高保持温度；e)通过对接合结构施加应力来在埋置弱化面中引发分裂波，分裂波以自维持的方式沿埋置弱化面传播以造成有用层转移到载体衬底。步骤e)中的引发发生在接合结构正经历限定所述接合结构的热区域和冷区域的热梯度、应力局部施加在冷区域中时，并且热区域经历的温度低于最高保持温度。