公开(公告)号：CN117174562A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202210595709.5

申请日：2022-05-26

申请人： 细美事有限公司

发明人： 严永堤 ,  朴玩哉 ,  丘峻宅 ,  金东勋 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供能够改善线边缘粗糙度(LER)的基板处理装置和方法。所述基板处理装置包括：等离子体生成空间，其配置在电极与离子阻滞件之间；处理空间，其配置在离子阻滞件的下方，并用于处理基板；第一气体供给模块，其向所述等离子体生成空间提供用于生成等离子体的第一气体；以及第二气体供给模块，其向所述处理空间提供未被激发的第二气体，所述第一气体是含氢气体，所述第二气体包括含氮气体，所述基板包括含碳的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN112908889A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202011293430.9

申请日：2020-11-18

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李知桓 ,  李城吉 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金东勋 ,  朴玩哉

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 提供一种用于处理基板的方法，用于处理所述基板的所述方法包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等离子体状态的处理气体执行预处理以对形成在所述基板上的所述膜进行表面处理；以及通过在所述预处理之后将处理液体供应到所述基板上来执行液体处理以从所述基板去除所述膜。

公开(公告)号：CN117747397A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311218809.7

申请日：2023-09-20

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金东勋 ,  朴玩哉 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  朴志焄

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：电极板，其被施加电力；离子阻挡器，其位于所述电极板的底侧，在所述离子阻挡器上形成有多个顶孔，并且所述离子阻挡器接地；喷头，其位于所述离子阻挡器的底侧，并且在所述喷头上形成有多个底孔；以及湍流发生单元，其配置成在内部具有湍流空间，并且所述湍流发生单元位于所述离子阻挡器和所述喷头之间的空间，并且其中当从上方观察时，所述顶孔定位成与所述湍流空间重叠，并且所述底孔位于所述湍流空间的外侧，并且当从下方观察时，所述底孔面对所述离子阻挡器的底表面和所述湍流发生单元的外壁中的至少一者。

公开(公告)号：CN117012603A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210469371.9

申请日：2022-04-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金东勋 ,  裵多顺 ,  朴玩哉 ,  李城吉 ,  严永堤 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  丘峻宅 ,  金杜里

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供能够使等离子体的均匀性极大化的基板处理装置和方法。基板处理方法包括：提供基板处理装置，所述基板处理装置包括：处理空间，用于处理基板；以及等离子体生成模块，生成用于处理基板的等离子体，等离子体生成模块包括：多个第一电极，在第一方向上彼此并排地配置；多个第二电极，在与第一方向不同的第二方向上彼此并排地配置；以及阵列，包括与多个第一电极以及多个第二电极连接的多个微等离子体单元；向多个微等离子体单元提供工艺气体，向处理空间提供反应气体；以及通过向第一微等离子体单元提供第一大小的第一能量，并向第二微等离子体单元提供第二能量，来使在第一微等离子体单元和第二微等离子体单元生成的等离子体的自由基量不同。

公开(公告)号：CN116092970A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202210374758.6

申请日：2022-04-11

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李城吉 ,  卢明燮 ,  金东勋 ,  严永堤 ,  吴东燮 ,  丘峻宅 ,  朴玩哉

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明构思提供了一种基板处理方法及基板处理装置。该基材处理方法包括：用于将基板的温度稳定至用于处理基板的处理空间中的工艺温度的温度稳定化步骤；用于将产生等离子体的等离子体空间的压力和处理空间的压力稳定至工艺压力的压力稳定化步骤，等离子体空间与处理空间流体连通；以及用于在等离子体空间产生等离子体并使用等离子体处理基板的处理步骤。

公开(公告)号：CN118553588A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410100715.8

申请日：2024-01-24

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金东勋 ,  林铉民 ,  尹和一

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H05F3/02 ,  H05F3/00

摘要： 衬底处理装置包括：处理室，包括上腔室和下腔室，下腔室具有用于处理衬底的处理空间；衬底支撑单元，设置在处理空间中，衬底支撑单元固定衬底；供气单元，将工艺气体供应到上腔室和处理空间的内部；等离子体产生单元，包括设置在上腔室中的上电极和连接到上电极的高频电源，高频电源通过阻抗匹配器供应高频电力；以及滤波器单元，连接到上电极，滤波器单元去除在上电极的一个表面上累积的电荷。

公开(公告)号：CN116364511A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211514817.1

申请日：2022-11-29

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金经晩 ,  刘永俊 ,  金东勋

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

摘要： 本发明作为基板处理装置及包括其的基板绑定系统以及基板处理方法，公开当进行用于绑定两基板的混合键合(Hybrid bonding)的等离子体处理时通过调节处理气体(Process gas)、控制气体(Control gas)、载气(Carrier gas)在基板中心(Center)和基板边缘(Edge)之间的比例而确保在基板上面生成的羟基(‑OH)的均匀度(Uniformity)来绑定基板的技术。

公开(公告)号：CN115763239A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211078535.1

申请日：2022-09-05

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金东勋 ,  金宰焕 ,  吉惠晙 ,  金健优 ,  全泰贤

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/67

摘要： 提供了一种去除形成在基板上的薄膜的基板处理方法。所述基板处理方法包括：将蚀刻剂转移到所述薄膜的反应工艺，以及去除通过使所述薄膜与所述蚀刻剂反应产生的工艺副产物的去除工艺，其中所述反应工艺和所述去除工艺重复至少两次或更多次，并且所述去除工艺中的任一种是部分去除所述工艺副产物。

公开(公告)号：CN115692154A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210863180.0

申请日：2022-07-20

申请人： 细美事有限公司

发明人： 严永堤 ,  朴玩哉 ,  金东勋 ,  李城吉 ,  朴志焄

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明构思提供了一种基板处理方法。用于处理在其位置处堆叠有薄膜并在其上形成有孔的基板的所述基板处理方法包括：作为第一处理步骤，使用包含离子的第一等离子体来处理所述基板；以及作为第二处理步骤，使用去除离子的第二等离子体来处理所述基板。

公开(公告)号：CN115394624A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210571132.4

申请日：2022-05-24

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金东勋 ,  朴玩哉 ,  朴志焄 ,  金杜里

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J65/00

摘要： 本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。基板处理装置包括：腔室，其具有内部空间；等离子体源，其配置为施加电场；第一气体供应单元，其配置为将第一工艺气体供应至等离子体源将电场施加到的区域，当第一工艺气体在第一压力气氛下施加有第一强度的电场时，第一工艺气体被激发成等离子体；支承单元，其设置在内部空间中且配置为支承待处理的基板；和无电极灯，其设置在内部空间中、在基板的上方，并且其中无电极灯包括：电场传输壳体，在该电场传输壳体中具有放电空间；和放电材料，其包括发光材料且填充放电空间，壳体的放电空间被加压至第二压力，并且放电材料当在第二压力下施加有比第一强度高的第二强度的电场时放电并发光。