公开(公告)号：CN106797235B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201580039692.3

申请日：2015-05-18

申请人： 维思电钥半导体公司

发明人： J-P·英古恩特 ,  G·布瓦龙 ,  P·皮克

IPC分类号： H04B5/00 ,  B65D55/06 ,  G06K19/077

摘要： 本发明涉及了一种近场磁耦合防伪标签，所述标签包含：被配置为实施基本功能和加密功能的控制微电路；跨越所述标签的牺牲区域(18)设置的牺牲导电轨道(12‑1、12‑2)；以及用于检测所述牺牲轨道的连续性的电路，其与所述微电路合作以在当所述牺牲轨道被破坏时实施所述基本功能而不实施加密功能。

公开(公告)号：CN104603798B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201380044934.9

申请日：2013-05-03

申请人： 维思电钥半导体公司

发明人： G·布瓦龙 ,  P·皮克

IPC分类号： G06K19/077

CPC分类号： G06K19/07783 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07754 ,  G06K19/07773 ,  G06K19/07775 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48228 ,  Y10T29/49016 ,  Y10T29/49018 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种用于制造非接触式微电路天线线圈的方法，包括步骤：将第一导电层(AL)沉积在卡的第一面上；以及在所述第一层中，形成螺旋天线线圈(MA1)，所述线圈包括多个线匝，所述多个线匝包括连接到内部连接衬垫(ACT2)的内部线匝(IS)以及连接到外部连接衬垫(ACT1)的外部线匝(ES)。除了为了允许将所述外部连接衬垫(ACT1)连接到所述外部线匝的导电路线的流通的一个区域之外，所述外部线匝(ES)沿着所述天线线圈的整个轮廓而延伸。所述天线线圈(MA1)的外部和内部连接衬垫(ACT1、ACT2)被在所述外部线匝的中心区域(CZ)中形成。所述天线线圈包括旁路区域(CST1)，其中每个线匝绕过所述外部接触衬垫。

公开(公告)号：CN106797235A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580039692.3

申请日：2015-05-18

申请人： 维思电钥半导体公司

发明人： J-P·英古恩特 ,  G·布瓦龙 ,  P·皮克

IPC分类号： H04B5/00 ,  B65D55/06 ,  G06K19/077

CPC分类号： H04L9/32 ,  B65D1/023 ,  B65D39/0011 ,  B65D39/0058 ,  B65D55/028 ,  B65D55/06 ,  B65D2203/10 ,  B65D2539/008 ,  B65D2555/02 ,  G06K19/07 ,  G06K19/07381 ,  G06K19/0739 ,  G06K19/07798 ,  G08B13/2431 ,  H04B5/0062

摘要： 本发明涉及了一种近场磁耦合防伪标签，所述标签包含：被配置为实施基本功能和加密功能的控制微电路；跨越所述标签的牺牲区域(18)设置的牺牲导电轨道(12‑1、12‑2)；以及用于检测所述牺牲轨道的连续性的电路，其与所述微电路合作以在当所述牺牲轨道被破坏时实施所述基本功能而不实施加密功能。