公开(公告)号：CN105307091A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510441603.X

申请日：2015-07-24

Applicant: 阿库斯蒂卡公司 ,  罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·布克 ,  J·津恩 ,  A·德勒 ,  B·戴蒙德 ,  B·格尔

IPC: H04R19/04

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)装置在一个实施例中包括限定出背腔的基板、背腔之上的膜、膜之上的背板和至少部分地定位于膜正下方且由背板支撑的第一超程止挡部(OTS)。

公开(公告)号：CN105307091B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201510441603.X

申请日：2015-07-24

Applicant: 阿库斯蒂卡公司 ,  罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·布克 ,  J·津恩 ,  A·德勒 ,  B·戴蒙德 ,  B·格尔

IPC: H04R19/04

Abstract: 一种微机电系统(MEMS)装置在一个实施例中包括限定出背腔的基板、背腔之上的膜、膜之上的背板和至少部分地定位于膜正下方且由背板支撑的第一超程止挡部(OTS)。

公开(公告)号：CN105324329A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480031553.1

申请日：2014-05-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·津恩 ,  B·戴蒙德 ,  J·霍夫曼

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0132 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003

Abstract: 公开了用于制造CMOS-MEMS装置的系统和方法。局部防护层沉积在层式结构的顶表面上以覆盖电路区域。从层式结构的底侧实施第一局部蚀刻，以便在层式结构的MEMS区域内形成MEMS膜之下的第一间隙。从层式结构的顶侧实施第二局部蚀刻，以便在MEMS区域内去除MEMS膜和MEMS背板之间的牺牲层的部分。第二局部蚀刻释放MEMS膜，从而MEMS膜可响应于压力而移动。沉积的局部防护层防止第二局部蚀刻蚀刻掉牺牲层的位于层式结构的电路区域内的一部分，且还防止第二局部蚀刻损坏CMOS电路部件。