磁强计
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102073022B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201010541690.3

    申请日:2010-11-08

    CPC classification number: G01R33/0286

    Abstract: 本发明涉及一种磁强计,它包括基底(1)、设置在基底(1)上的点支承(2)、在点支承(2)上可倾斜地支承的振动结构(3)和用于确定振动结构(3)相对于基底(1)的倾斜的检测器(5)。在此该振动结构(3)具有以至少一圈围绕振动结构(3)的支承点(P)导引的电导线(4)。本发明还涉及一种用于通过这种磁强计测量磁通密度的方法。

    利用改进惯性元件的微机电磁场传感器

    公开(公告)号:CN102812375B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201180014988.1

    申请日:2011-02-07

    CPC classification number: G01R33/0286 Y10T29/49002

    Abstract: 本发明公开了一种微机电系统(MEMS)。所述MEMS包括:基底;从基底向上延伸的第一枢轴;第一杆件臂,其随着第一纵向轴线在基底之上延伸,且可枢转地安装到第一枢轴以绕第一枢转轴线枢转;第一电容器层,其在第一杆件臂的第一电容器部分之下的位置形成在基底上;第二电容器层,其在第一杆件臂的第二电容器部分之下的位置形成在基底上,其中第一枢轴在沿着第一纵向轴线的第一电容器部分和第二电容器部分之间的位置支撑着第一杆件臂;以及第一导体部件,其延伸经过第一纵向轴线,且与第一枢转轴线分隔开。

    利用改进惯性元件的微机电磁场传感器

    公开(公告)号:CN102812375A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201180014988.1

    申请日:2011-02-07

    CPC classification number: G01R33/0286 Y10T29/49002

    Abstract: 本发明公开了一种微机电系统(MEMS)。所述MEMS包括:基底;从基底向上延伸的第一枢轴;第一杆件臂,其随着第一纵向轴线在基底之上延伸,且可枢转地安装到第一枢轴以绕第一枢转轴线枢转;第一电容器层,其在第一杆件臂的第一电容器部分之下的位置形成在基底上;第二电容器层,其在第一杆件臂的第二电容器部分之下的位置形成在基底上,其中第一枢轴在沿着第一纵向轴线的第一电容器部分和第二电容器部分之间的位置支撑着第一杆件臂;以及第一导体部件,其延伸经过第一纵向轴线,且与第一枢转轴线分隔开。

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