-
公开(公告)号：CN117897807A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280058306.5
申请日：2022-09-26
申请人： 罗姆股份有限公司
发明人： 鹤见直明
摘要： 半导体装置包括：芯片焊盘，配置在上述芯片焊盘上的半导体元件，形成在上述芯片焊盘与上述半导体元件之间且将上述半导体元件接合于上述芯片焊盘的元件接合层，覆盖上述芯片焊盘、上述半导体元件以及上述元件接合层的密封树脂，以及形成在上述密封树脂与上述元件接合层的边界部且阻挡来自上述密封树脂的腐蚀性离子的阻挡层。也可以是，上述密封树脂具有形成上述密封树脂的周围外部形状的端面，上述芯片焊盘包含以上述密封树脂的端面为起点向上述密封树脂的外侧突出的突出部。
-
公开(公告)号：CN103765533A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041622.8
申请日：2012-08-24
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F17/0006 , H01F27/24 , H01F27/2871 , H01F2017/0066 , H01F2017/0073 , H05K1/053 , H05K1/165 , H05K3/107 , H05K2201/086
摘要： 本发明提供一种磁性金属基板和电感元件，该磁性金属基板为薄型、能够实现大电流化并且高频特性优异，该电感元件使用上述的磁性金属基板，为薄型、安装面积能够形成得较小、电感值大、能够实现大电流化并且高频特性优异。电感元件（4）包括：磁性金属基板（2），其包括具有第一磁导率的金属基板（10）、配置在金属基板（10）的内部的第一绝缘层（16a）和配置在第一绝缘层（16a）上且具有第二磁导率的第一金属配线层（22）；配置在该磁性金属基板（2）的表面上的第一间隔层（24）；和配置在第一间隔层（24）上的第一磁通产生层（26）。
-
公开(公告)号：CN105122401A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480007773.0
申请日：2014-02-06
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01G4/32 , F16B25/00 , H01G4/10 , H01G4/14 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01G13/02 , H01L28/75 , H02M7/003 , Y02T10/7022
摘要： 多层结构体具备：衬底（10）；配置在衬底（10）上的缓冲层（12）；配置在缓冲层（12）上的下部电极（14）；以及配置在下部电极（14）上并且由氮化物构成的电介质层（16）。而且电容器元件具备：配置在电介质层（16）上的上部电极（18）；与下部电极（14）连接的第1端子电极；以及与上部电极（18）连接的第2端子电极。提供高温稳定性优异的电容器元件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN102203327B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200980142329.9
申请日：2009-10-22
申请人： 罗姆股份有限公司 , 熔盐电化学技术开发株式会社
CPC分类号： H01G4/12 , C25D3/66 , C25D5/18 , C25D9/04 , Y10T428/31678
摘要： 本发明提供可以在被处理材料表面形成均匀的具有优良附着性能的含硼薄膜的形成方法以及叠层结构体。电解装置装配有阳极1、作为阴极的被处理材料2、电解槽4、熔融盐电解浴5。另外，在阳极1和被处理材料2之间连接可变电源装置6。可变电源装置6的构成使得在电解过程中能够改变电压波形或电流波形。通过在熔融盐中流过适当脉冲波形的电流进行电解，甚至在复杂形状的被处理材料2内部也可以形成均匀的硼薄膜3。
-
公开(公告)号：CN102203327A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142329.9
申请日：2009-10-22
申请人： 罗姆股份有限公司 , 熔盐电化学技术开发株式会社
CPC分类号： H01G4/12 , C25D3/66 , C25D5/18 , C25D9/04 , Y10T428/31678
摘要： 本发明提供可以在被处理材料表面形成均匀的具有优良附着性能的含硼薄膜的形成方法以及叠层结构体。电解装置装配有阳极1、作为阴极的被处理材料2、电解槽4、熔融盐电解浴5。另外，在阳极1和被处理材料2之间连接可变电源装置6。可变电源装置6的构成使得在电解过程中能够改变电压波形或电流波形。通过在熔融盐中流过适当脉冲波形的电流进行电解，甚至在复杂形状的被处理材料2内部也可以形成均匀的硼薄膜3。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.046 秒)