公开(公告)号：CN1908240A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610101330.5

申请日：2006-07-07

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： 林慎二朗 ,  土田秀树 ,  日下大 ,  蓬田浩一

IPC: C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38 ,  H05K3/423 ,  H05K2201/09563

Abstract: 提供了在电子器件表面上和在基材的孔中沉积铜的镀铜浴，所述镀铜浴包含流平试剂，所述流平试剂是含杂原子的化合物与含醚键的聚环氧化物反应的产物，其中所述杂原子选自氮、硫以及氮和硫的组合。在一定的电解质浓度范围内，这种镀敷浴在基本上平坦的基材表面上沉积铜层。还介绍了用这种镀铜浴沉积铜层的方法。

公开(公告)号：CN1908240B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200610101330.5

申请日：2006-07-07

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： 林慎二朗 ,  土田秀树 ,  日下大 ,  蓬田浩一

IPC: C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38 ,  H05K3/423 ,  H05K2201/09563

Abstract: 提供了在电子器件表面上和在基材的孔中沉积铜的镀铜浴，所述镀铜浴包含流平试剂，所述流平试剂是含杂原子的化合物与含醚键的聚环氧化物反应的产物，其中所述杂原子选自氮、硫以及氮和硫的组合。在一定的电解质浓度范围内，这种镀敷浴在基本上平坦的基材表面上沉积铜层。还介绍了用这种镀铜浴沉积铜层的方法。