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公开(公告)号:CN111142328A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911057209.0
申请日:2019-10-31
申请人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号: G03F7/00 , G03F7/11 , G03F7/09 , C08F38/00 , C07C39/21 , C07C39/225 , C07C43/215 , C07C43/295 , C07C69/157 , C07C25/24 , C07C211/50
摘要: 具有三个或更多个被具有某些取代基中的一种或多种的芳香族部分取代的炔基部分的化合物可用于形成在半导体制造工艺中有用的底层。
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公开(公告)号:CN111142328B
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN201911057209.0
申请日:2019-10-31
申请人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号: G03F7/00 , G03F7/11 , G03F7/09 , C08F38/00 , C07C39/21 , C07C39/225 , C07C43/215 , C07C43/295 , C07C69/157 , C07C25/24 , C07C211/50
摘要: 具有三个或更多个被具有某些取代基中的一种或多种的芳香族部分取代的炔基部分的化合物可用于形成在半导体制造工艺中有用的底层。
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公开(公告)号:CN113589650A
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN202110438835.5
申请日:2021-04-22
申请人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要: 涂层组合物包含:可固化化合物,所述可固化化合物包含:核;以及三个或更多个具有式(1)的取代基;聚合物;以及一种或多种溶剂,其中总溶剂含量是基于所述涂层组合物的50至99wt%。还提供了用所述涂层组合物形成的经涂覆的基底以及使用所述组合物形成电子装置的方法。所述组合物、经涂覆的基底及方法特别适用于制造半导体装置。
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