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公开(公告)号：CN113589646B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110462902.7
申请日：2021-04-22
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 一种涂覆组合物和形成电子装置的方法。涂覆组合物包含：一种或多种化合物的B阶段反应产物，所述化合物包含选自C6‑50碳环芳香族、C2‑50杂环芳香族、C1‑20脂肪族、C1‑20杂脂肪族、C3‑20脂环族和C2‑20杂脂环族的核；附接到核的两个或更多个式(1)取代基，其中Ar1是独立选自C6‑50碳环芳香族和C2‑50杂芳香族的芳香族基团；Z独立选自OR1、受保护羟基、羧基、受保护羧基、SR1、受保护巯基、‑O‑C(＝O)‑C1‑6烷基、卤素和NHR2；每个R1独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基和C5‑30芳基；每个R2独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基、C5‑30芳基、C(＝O)‑R1和S(＝O)2‑R1；x是1至Ar1中可用芳香族环原子总数的整数；*指示与核的附接点；以及一种或多种溶剂。所述方法包括提供电子装置基底，涂覆所述涂覆组合物，固化。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117447900A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311164777.7
申请日：2021-08-13
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09D165/00 , C08G61/12
摘要： 用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物。提供了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物和交联剂，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：
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公开(公告)号：CN115894243A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211212376.X
申请日：2022-09-28
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C07C69/90 , C07C69/92 , C07C67/11 , C07C67/31 , C07C67/08 , C07C69/84 , C08F212/14 , C08F220/32 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/24 , G03F7/004
摘要： 公开了一种包含芳香族基团或杂芳香族基团的化合物，其中该芳香族基团或该杂芳香族基团包括包含烯键式不饱和双键的第一取代基、为碘原子的第二取代基和包含酸不稳定基团的第三取代基，其中该第一取代基、该第二取代基和该第三取代基各自键合到芳香族基团或杂芳香族基团的不同碳原子上。
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公开(公告)号：CN114196293A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110934022.5
申请日：2021-08-13
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09D165/00 , C08G61/12
摘要： 一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：其中Ar是单环或多环C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；R1是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基；并且R2是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基，其中R1和R2可以任选地一起形成环。
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公开(公告)号：CN113589646A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110462902.7
申请日：2021-04-22
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 一种涂覆组合物和形成电子装置的方法。涂覆组合物包含：一种或多种化合物的B阶段反应产物，所述化合物包含选自C6‑50碳环芳香族、C2‑50杂环芳香族、C1‑20脂肪族、C1‑20杂脂肪族、C3‑20脂环族和C2‑20杂脂环族的核；附接到核的两个或更多个式(1)取代基，其中Ar1是独立选自C6‑50碳环芳香族和C2‑50杂芳香族的芳香族基团；Z独立选自OR1、受保护羟基、羧基、受保护羧基、SR1、受保护巯基、‑O‑C(＝O)‑C1‑6烷基、卤素和NHR2；每个R1独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基和C5‑30芳基；每个R2独立选自H、C1‑10烷基、C2‑10不饱和烃基、C5‑30芳基、C(＝O)‑R1和S(＝O)2‑R1；x是1至Ar1中可用芳香族环原子总数的整数；*指示与核的附接点；以及一种或多种溶剂。所述方法包括提供电子装置基底，涂覆所述涂覆组合物，固化。
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公开(公告)号：CN109081921A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810573028.2
申请日：2018-06-06
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要： 硅基硬掩模。提供了用于形成较薄的含硅抗反射涂层的组合物和使用这些组合物制造电子装置的方法。由这些组合物形成的含硅抗反射涂层可以在加工期间容易地去除，而不需要单独的去除步骤。
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公开(公告)号：CN108227383A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711309420.8
申请日：2017-12-11
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC分类号： G03F7/11 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F2220/283 , C08F2220/303 , C09D151/00 , C09D151/003 , C09D187/00 , C09D187/005 , G03F7/00 , G03F7/075 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , G03F7/425
摘要： 提供采用可湿剥离垫层组合物制造电子装置的方法，所述组合物包含聚合物的缩合物和/或水解产物，所述聚合物包含一种或多种具有可缩合含硅部分的第一不饱和单体作为聚合单元，其中所述可缩合含硅部分位于所述聚合物主链的侧位；以及一种或多种可缩合硅单体。
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公开(公告)号：CN107797386A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710744762.6
申请日：2017-08-25
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , C09D183/07 , C09D133/10 , C09D133/12 , C09D133/14 , C09D125/18
摘要： 本发明提供包含一种或多种包含含Si-O键的主链的含硅聚合物、一种或多种有机掺合物聚合物和固化催化剂的可湿剥离底层组合物。这些组合物适用于制造多种电子装置。
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公开(公告)号：CN109786223B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201811331123.8
申请日：2018-11-09
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , C07C45/69 , C07C49/753
摘要： 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体，和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PDI，以及1:>1的总第一单体比总第二单体的摩尔比；和(ii)一种或多种有机溶剂；固化所述涂层以形成聚亚芳基膜；使所述聚亚芳基膜图案化；以及将所述图案转移至所述半导体装置衬底。
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