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发明公开
在薄膜衬底上电镀低内应力铜沉积物以抑制翘曲的方法无效

公开(公告)号：CN106757192A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611039723.8

申请日：2016-11-11

申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司

发明人： Y·H·高 , L·魏 , L·戈麦斯 , M·列斐伏尔

IPC分类号： C25D3/38 , C25D17/06 , C25D17/00

CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/04 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/06 , C25D17/007

摘要： 薄膜衬底用铜由低内应力高延展性酸性铜电镀浴电镀。在铜电镀方法期间，所述薄膜衬底可翘曲或弯曲。为了解决铜电镀期间翘曲或弯曲的问题，通过抑制所述薄膜衬底过度活动的固定构件来固定所述薄膜衬底。