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公开(公告)号:CN106573887A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201580043747.8
申请日:2015-08-19
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号: C07D209/82 , H01L51/50
摘要: 本发明提供包含用于OLED应用的可交联BCB官能化材料的组合物。本发明组合物可用于形成用于电致发光器件的空穴传输材料。具体来说,本发明提供包含选自结构A的至少一种化合物的组合物,如本文所述。
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公开(公告)号:CN109312025A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201680086531.4
申请日:2016-06-28
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
发明人: R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , 刘淳 , D·D·德沃尔 , 冯少光 , 冯继昌 , 朱敏荣 , 李扬 , S·穆克霍培德海耶 , A·N·索科洛夫 , M·S·雷米 , P·特雷福纳斯三世 , B·尼尔逊
摘要: 一种聚合物,其Mn为至少4,000并且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元,其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C40芳香族取代基;Ar1、Ar2和Ar3共同含有不超过一个氮原子,并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳环连接的乙烯基。
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公开(公告)号:CN106574040B
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201580043995.2
申请日:2015-08-20
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要: 一种包含聚合物电荷转移层的发光装置,其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成,所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元以及一个或多个衍生自结构(B)的聚合单元,其分别如下:A)如本文所定义,具有结构(A)的单体:和B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
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公开(公告)号:CN109328402B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN201780034785.6
申请日:2017-06-26
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号: H01L51/54
摘要: 本发明提供一种量子点发光二极管,其包含i)由选自由以下组成的组的半导体材料制成的至少一种半导体纳米颗粒的发射层:II‑VI族化合物、II‑V族化合物、III‑VI族化合物、III‑V族化合物、IV‑VI族化合物、I‑III‑VI族化合物、II‑IV‑VI族化合物、II‑IV‑V族化合物或其任何组合;和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物;并且所述聚合物包含作为聚合单元的至少一种或多种具有第一单体结构的单体,所述第一单体结构包含a)可聚合基团;b)具有式NAr1Ar2Ar3的电活性基团,其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6‑C50芳香族取代基;和(c)连接所述可聚合基团和所述电活性基团的连接基团。
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公开(公告)号:CN109328402A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201780034785.6
申请日:2017-06-26
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号: H01L51/54
CPC分类号: H01L51/502 , H01L51/5056
摘要: 本发明提供一种量子点发光二极管,其包含i)由选自由以下组成的组的半导体材料制成的至少一种半导体纳米颗粒的发射层:II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、II-IV-V族化合物或其任何组合;和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物;并且所述聚合物包含作为聚合单元的至少一种或多种具有第一单体结构的单体,所述第一单体结构包含a)可聚合基团;b)具有式NAr1Ar2Ar3的电活性基团,其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳香族取代基;和(c)连接所述可聚合基团和所述电活性基团的连接基团。
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公开(公告)号:CN109312229A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201680086966.9
申请日:2016-06-28
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要: 一种用于制造有机电荷传输膜的方法。所述方法包含以下步骤:(a)向基底施加具有磺酸、磺酸盐或磺酸酯取代基的第一聚合物树脂;以及(b)在第一聚合物树脂上施加Mw为至少3,000并包含芳基甲氧基键联的第二聚合物树脂。
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公开(公告)号:CN106575705A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201580044625.0
申请日:2015-08-19
申请人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
摘要: 本发明提供了用于OLED应用中的包含BCB官能化材料的组合物。可以使用本发明的组合物形成用于电致发光器件中的空穴传输材料。特别地,本发明提供了包含聚合物或由其形成的组合物、电荷传输膜层,以及发光器件,所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元。
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公开(公告)号:CN106574040A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201580043995.2
申请日:2015-08-20
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
摘要: 一种包含聚合物电荷转移层的发光装置,其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成,所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元以及一个或多个衍生自结构(B)的聚合单元,其分别如下:A)如本文所定义,具有结构(A)的单体:和B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
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公开(公告)号:CN109348733A
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201680086675.X
申请日:2016-06-28
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
发明人: R·D·格里格 , L·P·斯宾塞 , J·W·克雷默 , 刘淳 , D·D·德沃尔 , S·冯 , 冯继昌 , 朱敏荣 , 李扬 , S·穆克霍培德海耶 , A·N·索科洛夫 , M·S·雷米 , P·特雷福纳斯三世 , B·尼尔逊
摘要: 一种聚合物,其具有至少4,000的Mn且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元,其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳族取代基;Ar1、Ar2和Ar3共同含有至少2个氮原子和至少9个芳族环;并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳族环连接的乙烯基。
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公开(公告)号:CN109315047A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201680086916.0
申请日:2016-06-28
申请人: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
发明人: D·D·德沃尔 , 都成真 , 冯少光 , R·D·格里格 , 李扬 , 刘淳 , S·穆克霍培德海耶 , 罗弘烨 , M·S·雷米 , L·P·斯宾塞 , A·N·索科洛夫 , P·特雷福纳斯三世 , 朱敏荣 , A·英曼 , J·W·克雷默
摘要: 一种可用于产生有机电荷传输膜的单一液相制剂。该制剂包含:(a)具有Mn至少4,000且包含式NAr1Ar2Ar3的化合物的聚合单元的聚合物,其中Ar1、Ar2和Ar3独立地为C6-C50芳族取代基并且Ar1、Ar2和Ar3中的至少一个含有与芳香环连接的乙烯基;条件是所述化合物不含芳基甲氧基键;(b)酸催化剂,其为pKa≤4的有机布朗斯特酸;路易斯酸,其包含芳族阳离子和阴离子,所述阴离子为(I)具有下式的四芳基硼酸根,其中R表示0至5个选自D、F和CF3的非氢取代基,(ii)BF4-,(iii)PF6-,(iv)SbF6-,(v)AsF6-或者(vi)ClO4-;或者热致产酸剂。
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