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公开(公告)号：CN108847267B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810501831.5
申请日：2018-05-23
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本发明涉及一种基于错误模式的闪存寿命测试方法，包括以下步骤：抽取样本闪存，将样本闪存芯片与闪存测试系统连接；向所述闪存中写入加速磨损的测试图形或激发错误的测试图形；读取样本闪存中的数据，记录原始错误比特率，将所述原始错误比特率与样本闪存的ECC纠错能力进行对比；当原始错误比特率小于ECC纠错能力时，则对样本闪存芯片重复进行读写操作，否则，证明样本闪存已坏，样本闪存的寿命为擦写操作执行次数。本发明结合氧化层退化以及现有闪存芯片工艺制造特点，采用特定的基于错误模式的高效闪存测试图形，加速闪存芯片磨损、激发闪存芯片内部单元固有的缺陷，从而实现快速的闪存检测。
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公开(公告)号：CN108682442B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201810503034.0
申请日：2018-05-23
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明涉及一种不同封装闪存芯片在线测试和分类方法及测试系统，该方法包括将测试芯片与测试系统连接，以块为单位选择该测试芯片所要测试的块，并根据闪存芯片的封装不同，选择相应的测试图形测试闪存芯片物理量信息，并将测试数据实时保存；利用寿命预测算法，根据闪存芯片物理量信息预测闪存芯片的剩余寿命；对所述闪存芯片物理量信息进行处理获得进阶数据；根据闪存芯片物理量信息、剩余寿命、进阶数据，单独或者组合判断筛选闪存芯片，对闪存芯片进行分类。通过本发明，针对不同类型的闪存芯片，采用相应测试图形(pattern)进行测试，实现对不同封装、不同型号的闪存芯片的测试；且通过对闪存芯片存储块进行分级，根据存储块的分级实现对闪存芯片的分级，获得更准确，更贴合实际数据的闪存芯片分类方法。
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公开(公告)号：CN108363639B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201810125124.0
申请日：2018-02-07
申请人： 置富科技(深圳)股份有限公司
IPC分类号： G06F11/10
摘要： 本发明涉及一种参数可配置的动态BCH纠错方法及装置，其中方法包括，根据Flash页容量大小、冗余区空间以及错误率要求，选择合适的纠错码码长分组方案；根据Flash的比特错误率变化曲线设置与短码方案和长码方案的级别相对应的纠错能力调整阈值；Flash系统固件实时获取P/E周期数，并根据所述P/E周期数与所述纠错能力调整阈值的大小，选取合适的纠错模式级别，以实现BCH纠错参数的动态配置。区别于一种固定参数的BCH纠错方案，参数可配的BCH纠错模块可以适用于多种页容量大小的Flash芯片，因此不必在更换Flash的同时再去设计相应的纠错模块，提高整个Flash控制器的兼容性。同时固件可根据不同Page具体的P/E周期数，结合其实际出错比例，在保证可靠性的前提下尽可能提高Flash读写性能。
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